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NTIS 바로가기세리아 연마제는 산화막의 연마 속도가 빠르고, 질화 규소막과의 선택비가 높으며, 웨이퍼 표면에 스크래치 발생이 적어서 Shallow Trench Isolation (STI) CMP 공정에 널리 사용되고 있다. 하지만 높은 선택비로 인해 질화 규소막 사이에 있는 산화막에 디싱을 발생시킨다. 이는 완성된 반도체 칩에 전자 ...
저자 | 문선호 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 에너지공학과 |
지도교수 | 백운규 |
발행연도 | 2014 |
총페이지 | 46 p. |
키워드 | 화학. 연료 |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13525283&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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