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NTIS 바로가기STT-MRAM은 차세대 비휘발성 메모리로써 기존 메모리를 대체할 것으로 예상되고 있다. DRAM 수준의 집적도와 SRAM처럼 빠른 속도, Flash의 비휘발성을 모두 갖춘 STT-MRAM은 미래 소자로 각광받기에 충분하다. 그러나 STT-MRAM의 핵심 소자인 MTJ에는 여전히 해결해야 할 문제가 존재하며 이러한 문제요소는 STT-MRAM의 상용화에 제약이 된다. 본 논문에서는 STT-MRAM의 기본적인 쓰기동작과 핵심 소자인 MTJ 셀에 관해 분석함으로써 이러한 단점을 파악하여 상용화에 제약이 되는 이유에 대해 논의한다. 논의를 통해 이를 극복하기 위하여 본 논문에서 제안하는 STT-MRAM을 위한 동작완료 인지 가능한 저전력 쓰기동작 회로와 재구성 가능한 기본 셀에 대한 설명하고자 한다. 기존의 쓰기동작과 읽기동작은 구분되어왔지만 제안하는 쓰기동작 회로는 기존의 쓰기동작 회로와 구조적으로 다르며 읽기동작에서 사용되는 감지회로와 유사한 동작을 응용하였다. 따라서 제안하는 쓰기동작 회로는 쓰기동작 과정에서도 상태 전환을 인지하여 확률적인 상태전환에 능동적으로 대응할 수 있으며 불필요한 전력소모를 줄일 수 있다. 또한 기존의 쓰기동작 회로에서 MTJ 불량 등에 의해 발생할 수 있는 오동작에 대해서도 대응할 수 있는 강인회로로써 동작한다. 재구성 가능한 기본 셀은 공정 미스매치나 반복된 쓰기동작으로 인한 MTJ ...
STT-MRAM is one of a next generation non-volatile memory and expected to substitute conventional memories such as DRAM and SRAM. Because of high density of integration which is a feature of DRAM, high speed process which is a feature of SRAM and non-volatility which is a feature of Flash, STT-MRAM i...
저자 | 신광섭 |
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학위수여기관 | 한양대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자컴퓨터통신공학과 |
지도교수 | 박상규B |
발행연도 | 2015 |
키워드 | STT-MRAM, write circuit, MTJ |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13667500&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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