반도체 제조산업에서 플라즈마 공정진단 기술에 대한 중요성이 점점 높아져 가고 있다. 공정진단 기술은 웨이퍼 단위간 공정 제어와 in-situ 공정 오류검출을 하기 위해 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 VNAND 플래시 메모리 제조공정 중에 하나인 MOLD 공정에 대한 공정진단 방법을 제시할 것이다. 먼저 ...
반도체 제조산업에서 플라즈마 공정진단 기술에 대한 중요성이 점점 높아져 가고 있다. 공정진단 기술은 웨이퍼 단위간 공정 제어와 in-situ 공정 오류검출을 하기 위해 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 VNAND 플래시 메모리 제조공정 중에 하나인 MOLD 공정에 대한 공정진단 방법을 제시할 것이다. 먼저 PECVD챔버를 간단한 회로 모델링을 하여 RF 신호와 증착된 박막과의 관계수식을 유도하였다. 이를 통해 챔버 상부와 하부의 RF 신호를 모니터링하는 시스템을 설계하여 PECVD 공정을 모니터링 하였다. 모니터링 시스템은 검출한 RF 신호의 상대적인 변화를 계산하여 출력한다. RF 센서는 반도체 플라즈마 공정을 분석하는데 널리 이용되고 있다. 또한 공정을 모니터링 할 때 플라즈마에 직접적인 영향을 주지 않는 장점을 가지고 있다. MOLD 공정을 진행하기 이전에 산화막과 질화막 단위공정 최적화를 수행하였고, 산화막과 질화막을 반복적으로 증착하여 12 층의 MOLD 구조를 만들었다. 공정 결과를 확인하기 위해 웨이퍼 단면을 SEM으로 측정하였다. 실험 결과 같은 공정조건에서도 상위 층으로 갈수록 증착된 막의 두께가 증가하였으며, RF 센서 데이터에서는 감소하는 경향성을 확인하였다. 이 결과는 전기적 회로 모델링을 통해 연구한 RF 신호와 박막 두께와의 관계식이 성립함을 실험적으로 확인할 수 있었다. 실험 결과를 신뢰하기 위해서는 더 많은 연구가 필요하지만 RF 신호 모니터링을 통해 플라즈마 공정을 진단하여 반도체 제조 품질향상 및 웨이퍼 손실 최소화 효과를 기대할 수 있다.
반도체 제조산업에서 플라즈마 공정진단 기술에 대한 중요성이 점점 높아져 가고 있다. 공정진단 기술은 웨이퍼 단위간 공정 제어와 in-situ 공정 오류검출을 하기 위해 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 VNAND 플래시 메모리 제조공정 중에 하나인 MOLD 공정에 대한 공정진단 방법을 제시할 것이다. 먼저 PECVD 챔버를 간단한 회로 모델링을 하여 RF 신호와 증착된 박막과의 관계수식을 유도하였다. 이를 통해 챔버 상부와 하부의 RF 신호를 모니터링하는 시스템을 설계하여 PECVD 공정을 모니터링 하였다. 모니터링 시스템은 검출한 RF 신호의 상대적인 변화를 계산하여 출력한다. RF 센서는 반도체 플라즈마 공정을 분석하는데 널리 이용되고 있다. 또한 공정을 모니터링 할 때 플라즈마에 직접적인 영향을 주지 않는 장점을 가지고 있다. MOLD 공정을 진행하기 이전에 산화막과 질화막 단위공정 최적화를 수행하였고, 산화막과 질화막을 반복적으로 증착하여 12 층의 MOLD 구조를 만들었다. 공정 결과를 확인하기 위해 웨이퍼 단면을 SEM으로 측정하였다. 실험 결과 같은 공정조건에서도 상위 층으로 갈수록 증착된 막의 두께가 증가하였으며, RF 센서 데이터에서는 감소하는 경향성을 확인하였다. 이 결과는 전기적 회로 모델링을 통해 연구한 RF 신호와 박막 두께와의 관계식이 성립함을 실험적으로 확인할 수 있었다. 실험 결과를 신뢰하기 위해서는 더 많은 연구가 필요하지만 RF 신호 모니터링을 통해 플라즈마 공정을 진단하여 반도체 제조 품질향상 및 웨이퍼 손실 최소화 효과를 기대할 수 있다.
In semiconductor manufacturing industry, plasma process diagnosis technique became more important than before. Process diagnosis is necessary to minimize wafer-to-wafer variation and in-situ process fault detection. In this thesis, we will propose a method for diagnosis of MOLD process which is one ...
In semiconductor manufacturing industry, plasma process diagnosis technique became more important than before. Process diagnosis is necessary to minimize wafer-to-wafer variation and in-situ process fault detection. In this thesis, we will propose a method for diagnosis of MOLD process which is one of technologies for manufacturing VNAND flash memory. We induced a relation equation between RF signal and thin film thickness using simple circuit modeling. Thus, we developed a system for RF signal monitoring at the upper and lower terminal of chamber. Monitoring system calculates a ratio of change the gain and phase difference. RF sensor is widely used for the analysis of semiconductor plasma processes. Also, it has the advantage of not directly affect the plasma. Before proceeding MOLD process, we first performed a process optimization of oxide and nitride each deposition process. We made a MOLD structure of 12 layers. To confirm the results of the experiment, we measured the cross section of wafer using SEM. The pair thickness is gradually increased according to cycle number of the MOLD process in the same process condition. At the same time, the acquired RF data value showed a trend to decrease. It showed the same trend of the circuit modeling result. In order to increase the accuracy of the results, we will need more experiment. However, based on these studies, it is possible to improve the quality of semiconductor manufacturing and minimize wafer loss.
In semiconductor manufacturing industry, plasma process diagnosis technique became more important than before. Process diagnosis is necessary to minimize wafer-to-wafer variation and in-situ process fault detection. In this thesis, we will propose a method for diagnosis of MOLD process which is one of technologies for manufacturing VNAND flash memory. We induced a relation equation between RF signal and thin film thickness using simple circuit modeling. Thus, we developed a system for RF signal monitoring at the upper and lower terminal of chamber. Monitoring system calculates a ratio of change the gain and phase difference. RF sensor is widely used for the analysis of semiconductor plasma processes. Also, it has the advantage of not directly affect the plasma. Before proceeding MOLD process, we first performed a process optimization of oxide and nitride each deposition process. We made a MOLD structure of 12 layers. To confirm the results of the experiment, we measured the cross section of wafer using SEM. The pair thickness is gradually increased according to cycle number of the MOLD process in the same process condition. At the same time, the acquired RF data value showed a trend to decrease. It showed the same trend of the circuit modeling result. In order to increase the accuracy of the results, we will need more experiment. However, based on these studies, it is possible to improve the quality of semiconductor manufacturing and minimize wafer loss.
AI-Helper
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.