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NTIS 바로가기본 연구에서는 분자선 박막성장장치를 이용하여 성장한 GaAs 나노와이어와 InAs 나노와이어의 구조적 전기적 특성을 연구하였다. GaAs 나노와이어는 자발촉매를 이용하여 기상-액상-고상(VLS) 성장모드로 V/III 비율, 기판 표면처리, III족과 V족 공급량을 변화시켜 각각 성장하였다. 성장된 나노와이어의 구조적 특성을 SEM을 이용하여 분석하였다. GaAs 나노와이어는 Ga ...
저자 | 하재두 |
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학위수여기관 | 嶺南大學校 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 物理學科 物理學專攻 |
지도교수 | 金鍾守 |
발행연도 | 2015 |
총페이지 | 53장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13726865&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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