초록 ▼

본 기술의 나노 와이어 소자는 교체 금속 게이트 공정 및/또는 나노 와이어 릴리즈 공정에 사용된 것들과 같은 제조 공정들로부터 유래할 수 있는 손상으로부터 최상부 채널 나노 와이어를 보호하는 데에 조력하기 위해 적어도 하나의 나노 와이어 트랜지스터의 제조 동안 적어도 하나의 하드마스크의 통합에 의해 제조될 수 있다.적어도 하나의 하드마스크의 사용은 다중 적층 나노 와이어 트랜지스터에서 실질적으로 손상 없는 최상부 채널 나노 와이어를 낳을 수 있고, 이는 채널 나노 와이어들의 균일성 및 전체적 다중 적층 나노 와이어 트랜지스터의 신뢰

본 기술의 나노 와이어 소자는 교체 금속 게이트 공정 및/또는 나노 와이어 릴리즈 공정에 사용된 것들과 같은 제조 공정들로부터 유래할 수 있는 손상으로부터 최상부 채널 나노 와이어를 보호하는 데에 조력하기 위해 적어도 하나의 나노 와이어 트랜지스터의 제조 동안 적어도 하나의 하드마스크의 통합에 의해 제조될 수 있다.적어도 하나의 하드마스크의 사용은 다중 적층 나노 와이어 트랜지스터에서 실질적으로 손상 없는 최상부 채널 나노 와이어를 낳을 수 있고, 이는 채널 나노 와이어들의 균일성 및 전체적 다중 적층 나노 와이어 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

나노 와이어 트랜지스터로서,미세전자 기판 위에 형성되는 복수의 나노 와이어 채널 - 상기 복수의 나노 와이어 채널은 서로 이격되고 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 한 나노 와이어 채널은 상기 미세전자 기판으로부터 상기 복수의 나노 와이어 채널의 나머지들보다 더 멀리 떨어져 배치됨 -;상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널의 제1 단부에 인접한 소스;상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널의 제2 단부에 인접한 드레인; 상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널의 상기 제1 단부에

나노 와이어 트랜지스터로서,미세전자 기판 위에 형성되는 복수의 나노 와이어 채널 - 상기 복수의 나노 와이어 채널은 서로 이격되고 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 한 나노 와이어 채널은 상기 미세전자 기판으로부터 상기 복수의 나노 와이어 채널의 나머지들보다 더 멀리 떨어져 배치됨 -;상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널의 제1 단부에 인접한 소스;상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널의 제2 단부에 인접한 드레인; 상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널의 상기 제1 단부에 인접하여 배치되는 제1 스페이서 및 상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널의 상기 제2 단부에 인접하여 배치되는 제2 스페이서 - 상기 제1 스페이서는 상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널과 물리적으로 접하고, 상기 제2 스페이서는 상기 복수의 나노 와이어 채널의 각각의 나노 와이어 채널과 물리적으로 접함 -;제1 하드마스크 부분 및 제2 하드마스크 부분을 포함하는 하드마스크 층 - 상기 하드마스크 층 전체는, 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널 위에 형성되고, 상기 하드마스크 층의 하드마스크 물질과 상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서의 스페이서 물질은 상이하며 서로에 대해 선택적으로 제거될 수 있음 -; 및상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 최상부에 인접한 게이트 유전체 물질 - 상기 게이트 유전체 물질은 상기 제1 하드마스크 부분과 상기 제2 하드마스크 부분 사이에 배치됨 -을 포함하고,상기 제1 하드마스크 부분은 상기 제1 스페이서에 인접하고, 상기 소스에 인접하며, 상기 게이트 유전체 물질에 인접하고, 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 최상부에 인접함으로써, 상기 제1 하드마스크 부분이, 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 최상부의 일부를 상기 소스와 상기 게이트 유전체 물질 사이에서 덮고, 상기 제1 하드마스크 부분은 상기 게이트 유전체 물질과 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 제1 단부 사이에서 연장하고 상기 제1 스페이서를 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 최상부로부터 분리하고,상기 제2 하드마스크 부분은 상기 제2 스페이서에 인접하고, 상기 드레인에 인접하며, 상기 게이트 유전체 물질에 인접하고, 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 최상부에 인접함으로써, 상기 제2 하드마스크 부분이, 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 최상부의 다른 일부를 상기 드레인과 상기 게이트 유전체 물질 사이에서 덮고, 상기 제2 하드마스크 부분은 상기 게이트 유전체 물질과 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 제2 단부 사이에서 연장하고 상기 제2 스페이서를 상기 복수의 나노 와이어 채널의 상기 나머지들보다 상기 미세전자 기판으로부터 더 멀리 떨어져 있는 상기 복수의 나노 와이어 채널 중의 상기 한 나노 와이어 채널의 상기 최상부로부터 분리하는 나노 와이어 트랜지스터.