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NTIS 바로가기근적외선은 0.7~1.4 μm의 파장을 갖는 전자기파 대역으로, 가시광에 비하여 높은 투과율과 감도를 갖는 특징 때문에 산업용, 군수용, 과학용 등 다양한 분야에서 사용되는 파장대역이다. 근적외선 검출이 가능한 물질로는 InxGa1-xAs, HgCdTe, InGaAs/GaAsSb 양자우물, InAs 등이 개발되어 사용되고 있다. 특히 III-V족 화합물 반도체인 InxGa1-xAs가 근적외선 ...
저자 | 이훈 |
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학위수여기관 | 전남대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 물리학과 |
지도교수 | 김하술 |
발행연도 | 2016 |
총페이지 | 49 |
키워드 | InGaAs photodiode MOCVD Infrared IR detector Zn diffusion |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14052502&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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