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본 논문에서는 GaN FET을 적용한 공진형 컨버터중의 하나인 위상천이 풀 브릿지를 설계 및 구현 하였으며, GaN FET의 스위치 특성을 비교 분석하기 위해 대조군으로 실리콘 MOSFET을 선정하였다. GaN FET의 작은 기생성분으로 인해 스위치 특성이 우수하여 위상천이 풀 브릿지의 이론 손실 분석 결과 전반적으로 GaN FET이 실리콘 MOSFET보다 효율이 높게 나올것으로 예상 된다.
하지만 GaN FET의 작은 기생성분 및 낮은 문턱전압으로 노이즈에 민감하여, 게이트 노이즈 전압이 발생시 faulty 턴-온 문제를 야기 시킬 수 있으며, 이는 시스템 효율 및 안정성을 저감 시킨다.
따라서 노이즈 발생 원인에 대해 상세히 고찰하고, ...
저자 | 김동식 |
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학위수여기관 | 대진대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기공학과(전력전자) |
지도교수 | 김종수 |
발행연도 | 2016 |
총페이지 | i, v, 52장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14083008&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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