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차량용 LED 백라이트 구동을 위한 GaN HEMT 기반의 동기 정류 부스트 컨버터 설계 및 구현
Design and Implementation of Synchronous Rectified Boost Converter Based on GaN HEMT for LED Backlight in Vehicle 원문보기

전력전자학회 2018년도 전력전자학술대회, 2018 July 03, 2018년, pp.322 - 323  

김성재 (대진대학교) ,  김현빈 (대진대학교) ,  윤재중 (대구대학교) ,  김종수 (대진대학교)

초록
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차량용 LED 백라이트 구동회로는 시스템의 성능 향상을 위해 고밀도/고효율의 DC-DC컨버터가 요구되며 이를 위해 WBG(Wide Band Gap) 소자인 GaN HEMT가 기반의 동기 정류 부스트 컨버터의 설계 가이드를 제시하고 500kHz 스위칭 주파수의 30W급 동기 정류 부스트 컨버터를 구현한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • [1][2] 이러한 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 Wide band Gap 소자인 GaN HEMT(Gallium nitride High Electron Mobility Transistor)가 적용된 차량용 LED 백라이트 구동회로를 위한 500kHz 스위칭 주파수를 갖는 부스트 컨버터의 설계가 이루어진다. 또한, 효율 향상을 위해 전류가 다이오드를 통하는 구간을 GaN HEMT로 대체하여 Turn on을 시켜주는 동기정류 제어기법을 적용한다.
  • 본 논문에서는 WBG소자인 GaN HEMT를 이용하여 차량용 LED 백라이트 구동을 위한 고전력 밀도의 동기 정류 부스트 컨버터의 설계 가이드를 제시하였다. 또한, 결과 검증을 위하여 500kHz 스위칭 주파수의 30W급 Prototype 모델을 제작하고 구현하였으며 최대효율 90 24%를 달성하였다.
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