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NTIS 바로가기GaN를 비롯한 III-N 반도체는 큰 에너지 밴드갭을 가지고 있어 다양한 분야의 광전자 디바이스로 사용되고 있다. 특히 GaN 기반 발광다이오드는 활성층의 물질 구성에 따라 가시광선은 물론 적외선과 자외선 영역을 커버할 수 있는 광범위한 스펙트럼을 가지고 있다. 게다가 반도체 특성을 이용하여 On/Off 방식의 dimming 기술로 소비전력을 줄이고 광통신에도 사용할 수 있다는 장점을 가지고 있어 광전자 디바이스로 널리 사용되고 있다. GaN 기반 발광다이오드의 ...
저자 | 최준혁 |
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학위수여기관 | 영남대학교 대학원 |
학위구분 | 국내박사 |
학과 | 전자공학과 전자공학전공 |
지도교수 | 장자순 |
발행연도 | 2016 |
총페이지 | xii, 124 p. |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14161264&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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