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본 논문에서는 신뢰성을 높이기 위해 180-nm SOI RF CMOS 공정을 이용하여 설계하고 제안하는 새로운 구조의 전력증폭기를 주제로 다루고 있다. 기존의 신뢰성을 높이기 위해 다수의 트랜지스터를 쌓아올리는 방법에서 발생할 수 있는 게이트와 드레인 사이의 기생 캐패시턴스의 문제를 해결함과 동시에 캐스코드 구조의 장점을 접목한 구조이다.
제안한 NMOS-Transformer-PMOS 전력증폭기는 동작의 신뢰성을 높일 수 있다. NMOS 증폭기와 PMOS 증폭기 각각에 형성되는 가상 ...
In this work, we propose NMOS-transformer-PMOS structure for power stage of CMOS power amplifier to mitigate the reliability problems between drain and source nodes. The supply voltage of the power stage is divided by the NMOS and PMOS. To verify the feasibility of the proposed structure, we designe...
저자 | 고가연 |
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학위수여기관 | 숭실대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자공학과 |
지도교수 | 박창근 |
발행연도 | 2017 |
총페이지 | viii, 60장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14373286&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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