본 논문에서는 형광 OLED의 특성을 연구하기 위하여 청색 OLED, 구조, 전자수송층 물질, 두께를 변화시켜 인가전압 및 경과시간에 따른 임피던스와 전류-전압-휘도의 특성에 대하여 실험하였다. 청색 OLED 단일구조에서의 전류밀도와 휘도는 경과 시간에 따라 점차 감소하여 480 시간 이후부터는 발광하지 않았고, 문턱전압은 시간이 경과함에 따라 증가하였다. Cole-Cole plot은 문턱전압 이하인 인가전압 2 V에서는 매우 큰 크기의 반원 형태로 실수 임피던스의 최댓값은 시간 경과에 따라 9314.5∼9902.2 Ω으로 변화가 크지 않았다. 문턱전압 이상인 인가전압 4, 6, 8 V에서는 반원 끝 부분의 실수 임피던스 값이 소자 제작 직후 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω으로부터 경과 시간에 따라 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω까지 커다란 변화를 나타내었다. Bode plot은 문턱전압 이하인 인가전압 2 V에서 실수 임피던스의 최댓값은 시간 경과에 따라 진동수 20 Hz에서 9,314.5∼9,902.2 Ω의 유사한 값을 나타내었다. 문턱 전압 이상인 인가전압 4, 6, 8 V에서는 실수 임피던스의 최댓값을 나타내는 진동수는 소자 제작 직후 234, 780, 1,434 Hz에서 시간 경과에 따라 20 Hz로 변화하고, 실수 임피던스 최댓값은 소자 제작 직후 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω에서 시간 경과에 따라 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω로 변화하였다. 소자 제작 직후 문턱전압 이상으로 인가전압이 증가함에 따라 소자를 구성하는 유기물 층 사이의 에너지 차이를 극복하고 전류가 흐르게 되어 실수 임피던스의 최댓값이 급격하게 감소하였다. 시간이 경과함에 따라 소자의 ...
본 논문에서는 형광 OLED의 특성을 연구하기 위하여 청색 OLED, 구조, 전자수송층 물질, 두께를 변화시켜 인가전압 및 경과시간에 따른 임피던스와 전류-전압-휘도의 특성에 대하여 실험하였다. 청색 OLED 단일구조에서의 전류밀도와 휘도는 경과 시간에 따라 점차 감소하여 480 시간 이후부터는 발광하지 않았고, 문턱전압은 시간이 경과함에 따라 증가하였다. Cole-Cole plot은 문턱전압 이하인 인가전압 2 V에서는 매우 큰 크기의 반원 형태로 실수 임피던스의 최댓값은 시간 경과에 따라 9314.5∼9902.2 Ω으로 변화가 크지 않았다. 문턱전압 이상인 인가전압 4, 6, 8 V에서는 반원 끝 부분의 실수 임피던스 값이 소자 제작 직후 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω으로부터 경과 시간에 따라 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω까지 커다란 변화를 나타내었다. Bode plot은 문턱전압 이하인 인가전압 2 V에서 실수 임피던스의 최댓값은 시간 경과에 따라 진동수 20 Hz에서 9,314.5∼9,902.2 Ω의 유사한 값을 나타내었다. 문턱 전압 이상인 인가전압 4, 6, 8 V에서는 실수 임피던스의 최댓값을 나타내는 진동수는 소자 제작 직후 234, 780, 1,434 Hz에서 시간 경과에 따라 20 Hz로 변화하고, 실수 임피던스 최댓값은 소자 제작 직후 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω에서 시간 경과에 따라 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω로 변화하였다. 소자 제작 직후 문턱전압 이상으로 인가전압이 증가함에 따라 소자를 구성하는 유기물 층 사이의 에너지 차이를 극복하고 전류가 흐르게 되어 실수 임피던스의 최댓값이 급격하게 감소하였다. 시간이 경과함에 따라 소자의 열화에 의하여 높은 인가전압에서도 소자를 통하여 전류가 흐르지 않게 되어 문턱전압 이상의 인가전압에서도 문턱전압 이하인 인가전압과 유사한 결과를 나타내었다. 인가전압이 증가함에 따라 유기물 층을 통하여 흐르는 전하의 이동이 빠르게 되어 실수 임피던스의 최댓값은 감소하고, 실수 임피던스의 최댓값을 나타내는 진동수는 증가하게 된다. 구조 변화에서의 유기 박막의 층수가 증가할수록 전류밀도와 휘도는 감소하였고, 전류 효율은 증가하였다. Cole-Cole plot은 문턱전압 이상인 6 V에서 유기 박막의 층수가 증가함에 따라 실수 임피던스 최댓값은 소자 제작 직후 15.3, 108.2, 159.2 Ω으로부터 경과 시간에 따라 8,300, 9,005.6, 27,257.6 Ω까지 커다란 변화를 나타내었다. 층이 증가할수록 실수 임피던스 최댓값은 증가하는 경향을 나타내었다. 이러한 결과는 정공 이동도와 계면 사이의 저항으로 인하여 임피던스 값이 증가 하는 것이다. 전자 수송층 변화에 따른 형광 OLED의 임피던스 특성을 위한 전자 수송층으로 Bphne, TPBi, Alq3를 사용하여 각각 Device A, B, C를 제작하였다. 전류밀도와 휘도는 Device C, A, B 순으로 에너지 준위에 따라 달라지는 것을 확인하였다. 문턱전압 미만에서는 전자 수송층의 전자 이동도가 큰 물질의 임피던스 최댓값이 작고, 전자 수송층의 전자 이동도가 낮은 물질의 임피던스 최댓값이 크다는 것을 알 수 있었다. 문턱전압 이상에서는 에너지 장벽을 극복하고 흐르는 전자와 정공의 증가에 의하여 인가전압이 증가함에 따라 임피던스 값이 매우 큰 폭으로 감소하는 것을 알 수 있다. 경과 시간에 따른 실수 임피던스 최댓값은 인가전압 6 V에서 소자 제작 직후 Device A, B, C의 경우 각각 183, 992, 160 Ω으로부터 경과 시간에 따라 9,826, 8,162, 27,257 Ω까지 커다란 변화를 나타내었다. 경과 시간에 따른 임피던스 최댓값과 전류밀도의 변화는 전류밀도가 높은 Device C의 경우 임피던스 값이 가장 빠르게 증가하는 것을 알 수 있다. 이 결과는 높은 전류밀도에 의하여 빠른 열화가 진행되어 나타난 결과로 판단된다. 두께변화에서의 전류밀도 및 휘도 특성은 NPB층이 증가할수록 전류밀도 및 휘도 특성 또한 증가하는 것을 확인 할 수 있다. 하지만 NPB층이 가장 두꺼운 D1의 경우 상대적으로 Alq3의 두께가 10 ㎚로 작기 때문에 상대적으로 Alq3의 두께가 40 ㎚인 D2에 비해 재결합 확률이 적어 발광휘도는 D2에서 더 높은 것을 확인 할 수 있다. Cole-Cole plot의 경우 전류밀도와 유사한 경향으로 NPB 층이 증가할수록 임피던스 값은 감소하는 특성을 나타내었다. 이는 NPB의 정공이동도가 Alq3의 전자이동도에 비해 높기 때문에 나타난 현상이다.
본 논문에서는 형광 OLED의 특성을 연구하기 위하여 청색 OLED, 구조, 전자수송층 물질, 두께를 변화시켜 인가전압 및 경과시간에 따른 임피던스와 전류-전압-휘도의 특성에 대하여 실험하였다. 청색 OLED 단일구조에서의 전류밀도와 휘도는 경과 시간에 따라 점차 감소하여 480 시간 이후부터는 발광하지 않았고, 문턱전압은 시간이 경과함에 따라 증가하였다. Cole-Cole plot은 문턱전압 이하인 인가전압 2 V에서는 매우 큰 크기의 반원 형태로 실수 임피던스의 최댓값은 시간 경과에 따라 9314.5∼9902.2 Ω으로 변화가 크지 않았다. 문턱전압 이상인 인가전압 4, 6, 8 V에서는 반원 끝 부분의 실수 임피던스 값이 소자 제작 직후 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω으로부터 경과 시간에 따라 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω까지 커다란 변화를 나타내었다. Bode plot은 문턱전압 이하인 인가전압 2 V에서 실수 임피던스의 최댓값은 시간 경과에 따라 진동수 20 Hz에서 9,314.5∼9,902.2 Ω의 유사한 값을 나타내었다. 문턱 전압 이상인 인가전압 4, 6, 8 V에서는 실수 임피던스의 최댓값을 나타내는 진동수는 소자 제작 직후 234, 780, 1,434 Hz에서 시간 경과에 따라 20 Hz로 변화하고, 실수 임피던스 최댓값은 소자 제작 직후 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω에서 시간 경과에 따라 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω로 변화하였다. 소자 제작 직후 문턱전압 이상으로 인가전압이 증가함에 따라 소자를 구성하는 유기물 층 사이의 에너지 차이를 극복하고 전류가 흐르게 되어 실수 임피던스의 최댓값이 급격하게 감소하였다. 시간이 경과함에 따라 소자의 열화에 의하여 높은 인가전압에서도 소자를 통하여 전류가 흐르지 않게 되어 문턱전압 이상의 인가전압에서도 문턱전압 이하인 인가전압과 유사한 결과를 나타내었다. 인가전압이 증가함에 따라 유기물 층을 통하여 흐르는 전하의 이동이 빠르게 되어 실수 임피던스의 최댓값은 감소하고, 실수 임피던스의 최댓값을 나타내는 진동수는 증가하게 된다. 구조 변화에서의 유기 박막의 층수가 증가할수록 전류밀도와 휘도는 감소하였고, 전류 효율은 증가하였다. Cole-Cole plot은 문턱전압 이상인 6 V에서 유기 박막의 층수가 증가함에 따라 실수 임피던스 최댓값은 소자 제작 직후 15.3, 108.2, 159.2 Ω으로부터 경과 시간에 따라 8,300, 9,005.6, 27,257.6 Ω까지 커다란 변화를 나타내었다. 층이 증가할수록 실수 임피던스 최댓값은 증가하는 경향을 나타내었다. 이러한 결과는 정공 이동도와 계면 사이의 저항으로 인하여 임피던스 값이 증가 하는 것이다. 전자 수송층 변화에 따른 형광 OLED의 임피던스 특성을 위한 전자 수송층으로 Bphne, TPBi, Alq3를 사용하여 각각 Device A, B, C를 제작하였다. 전류밀도와 휘도는 Device C, A, B 순으로 에너지 준위에 따라 달라지는 것을 확인하였다. 문턱전압 미만에서는 전자 수송층의 전자 이동도가 큰 물질의 임피던스 최댓값이 작고, 전자 수송층의 전자 이동도가 낮은 물질의 임피던스 최댓값이 크다는 것을 알 수 있었다. 문턱전압 이상에서는 에너지 장벽을 극복하고 흐르는 전자와 정공의 증가에 의하여 인가전압이 증가함에 따라 임피던스 값이 매우 큰 폭으로 감소하는 것을 알 수 있다. 경과 시간에 따른 실수 임피던스 최댓값은 인가전압 6 V에서 소자 제작 직후 Device A, B, C의 경우 각각 183, 992, 160 Ω으로부터 경과 시간에 따라 9,826, 8,162, 27,257 Ω까지 커다란 변화를 나타내었다. 경과 시간에 따른 임피던스 최댓값과 전류밀도의 변화는 전류밀도가 높은 Device C의 경우 임피던스 값이 가장 빠르게 증가하는 것을 알 수 있다. 이 결과는 높은 전류밀도에 의하여 빠른 열화가 진행되어 나타난 결과로 판단된다. 두께변화에서의 전류밀도 및 휘도 특성은 NPB층이 증가할수록 전류밀도 및 휘도 특성 또한 증가하는 것을 확인 할 수 있다. 하지만 NPB층이 가장 두꺼운 D1의 경우 상대적으로 Alq3의 두께가 10 ㎚로 작기 때문에 상대적으로 Alq3의 두께가 40 ㎚인 D2에 비해 재결합 확률이 적어 발광휘도는 D2에서 더 높은 것을 확인 할 수 있다. Cole-Cole plot의 경우 전류밀도와 유사한 경향으로 NPB 층이 증가할수록 임피던스 값은 감소하는 특성을 나타내었다. 이는 NPB의 정공이동도가 Alq3의 전자이동도에 비해 높기 때문에 나타난 현상이다.
In this paper, in order to investigate the characteristics of fluorescent OLED, blue OLED, structural change, change of electron transport layer material, thickness change experiments were conducted on characteristics of impedance and current-voltage-luminance according to applied voltage and elapse...
In this paper, in order to investigate the characteristics of fluorescent OLED, blue OLED, structural change, change of electron transport layer material, thickness change experiments were conducted on characteristics of impedance and current-voltage-luminance according to applied voltage and elapsed time. The current density and luminance in the blue OLED single structure gradually decreased in accordance with elapsed time and did not emit light after 480 hours, and the threshold voltage increased with the lapse of time. Cole-Cole plot was a semicircular shape of a very large size at 2 V of the applied voltage below the threshold voltage, and the maximum value of the real impedance did not change greatly from 9314.5 to 9902.2 Ω as time elapsed. Applied voltages 4, 6, and 8 V above the threshold voltage showed a large change in the real impedance value at the semicircle end 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω and changed to 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω according to the elapsed time. Bode plot showed a similar value of 9,314.5 - 9,902.2 Ω with a frequency of 20 Hz at 2 V of the applied voltage below the threshold voltage and with the passage of time the maximum value of the miss impedance. Applied voltages 4, 6, 8 V above the threshold voltage, the frequency showing the maximum value of the real impedance changes to 20 Hz in accordance with the elapse of time of 234, 780, 1,434 Hz immediately after fabrication of the device, and real Impedance maximum value, the device immediately after element fabrication 2,223, 184, 48 Ω, and changed to 9678, 9,826, 9,535 Ω according to the passage of time. As the applied voltage increased beyond the threshold voltage just after device fabrication, the energy difference between it and the organic material layer constituting the device was overcome, the current flowed, and the maximum value of the miss impedance abruptly decreased. As time passed, current did not flow through the element even at high applied voltage due to deterioration of the element, and the same result as the applied voltage equal to or lower than the threshold voltage was exhibited even with applied voltage not less than the threshold voltage. As the applied voltage increases, the movement of the electric charge flowing through the organic material layer becomes faster, the maximum real impedance value of the decreases, and the maximum real impedance value of the frequency is increases. As the number of layers of the organic thin film in the structure change increased, the current density and luminance decreased and the current efficiency increased. Cole-Cole plot was a applied voltages 6 V above the threshold voltage showed a large change in the real impedance value at the semicircle end showed a large change to 8, 300, 9, 500, 27, 257.6 Ω according to elapsed time from 15.3, 108.2, 159.2 Ω immediately after element fabrication. As the number of layers increased, the maximum impedance value tended to increase. These results indicate that the hole mobility and between interface the resistance value increases the impedance value. Device A, B, C were fabricated using Bphne, TPBi, Alq3 as the electron transport layer for the impedance characteristics of the fluorescent OLED accompanying the change of the electron transporting layer. It was confirmed that current density and luminance depend on energy levels in the order of Device C, A, B. It was found that the impedance maximum value of the substance having a large electron mobility of the electron transporting layer is small and the impedance maximum value of the substance having the low electron mobility of the electron transporting layer is large when the electron transporting layer is below the threshold voltage. It can be seen that the impedance value is extremely greatly reduced as the applied voltage increases as the electrons and holes flowing over the energy barrier over the threshold voltage are increased. The maximum real impedance corresponding to the elapsed time was changed to 9, 826, 8, 162, 27, 257 Ω according to the elapsed time from 183, 992, 160 Ω for Device A, Device B, and Device C immediately after device fabrication at an applied voltage of 6 V showed that. The change in impedance maximum value and current density according to elapsed time can be seen that the impedance value increases most rapidly in case of Device C with high current density. This result is judged from the result that fast deterioration due to high current density appears. It can be confirmed that the current density and luminance characteristics increase as the NPB layer increases as the current density and the luminance characteristics from the change in thickness increase. However, in the case where the NPB layer is the thickest D1, the thickness of Alq3 is relatively small to 10 ㎚, so the recombination probability is smaller than that of D2 where the thickness of Alq3 is relatively 40 ㎚, and the emission luminance is It can be confirmed that it is higher than D2. In the case of Cole-Cole plot, the impedance value decreased as the NPB layer increased with the same tendency as the current density. This phenomenon is displayed because the hole mobility of NPB is higher than the electron mobility of Alq3.
In this paper, in order to investigate the characteristics of fluorescent OLED, blue OLED, structural change, change of electron transport layer material, thickness change experiments were conducted on characteristics of impedance and current-voltage-luminance according to applied voltage and elapsed time. The current density and luminance in the blue OLED single structure gradually decreased in accordance with elapsed time and did not emit light after 480 hours, and the threshold voltage increased with the lapse of time. Cole-Cole plot was a semicircular shape of a very large size at 2 V of the applied voltage below the threshold voltage, and the maximum value of the real impedance did not change greatly from 9314.5 to 9902.2 Ω as time elapsed. Applied voltages 4, 6, and 8 V above the threshold voltage showed a large change in the real impedance value at the semicircle end 2,222.5, 183.7, 48.2 Ω and changed to 9678.2, 9,826, 9,535.4 Ω according to the elapsed time. Bode plot showed a similar value of 9,314.5 - 9,902.2 Ω with a frequency of 20 Hz at 2 V of the applied voltage below the threshold voltage and with the passage of time the maximum value of the miss impedance. Applied voltages 4, 6, 8 V above the threshold voltage, the frequency showing the maximum value of the real impedance changes to 20 Hz in accordance with the elapse of time of 234, 780, 1,434 Hz immediately after fabrication of the device, and real Impedance maximum value, the device immediately after element fabrication 2,223, 184, 48 Ω, and changed to 9678, 9,826, 9,535 Ω according to the passage of time. As the applied voltage increased beyond the threshold voltage just after device fabrication, the energy difference between it and the organic material layer constituting the device was overcome, the current flowed, and the maximum value of the miss impedance abruptly decreased. As time passed, current did not flow through the element even at high applied voltage due to deterioration of the element, and the same result as the applied voltage equal to or lower than the threshold voltage was exhibited even with applied voltage not less than the threshold voltage. As the applied voltage increases, the movement of the electric charge flowing through the organic material layer becomes faster, the maximum real impedance value of the decreases, and the maximum real impedance value of the frequency is increases. As the number of layers of the organic thin film in the structure change increased, the current density and luminance decreased and the current efficiency increased. Cole-Cole plot was a applied voltages 6 V above the threshold voltage showed a large change in the real impedance value at the semicircle end showed a large change to 8, 300, 9, 500, 27, 257.6 Ω according to elapsed time from 15.3, 108.2, 159.2 Ω immediately after element fabrication. As the number of layers increased, the maximum impedance value tended to increase. These results indicate that the hole mobility and between interface the resistance value increases the impedance value. Device A, B, C were fabricated using Bphne, TPBi, Alq3 as the electron transport layer for the impedance characteristics of the fluorescent OLED accompanying the change of the electron transporting layer. It was confirmed that current density and luminance depend on energy levels in the order of Device C, A, B. It was found that the impedance maximum value of the substance having a large electron mobility of the electron transporting layer is small and the impedance maximum value of the substance having the low electron mobility of the electron transporting layer is large when the electron transporting layer is below the threshold voltage. It can be seen that the impedance value is extremely greatly reduced as the applied voltage increases as the electrons and holes flowing over the energy barrier over the threshold voltage are increased. The maximum real impedance corresponding to the elapsed time was changed to 9, 826, 8, 162, 27, 257 Ω according to the elapsed time from 183, 992, 160 Ω for Device A, Device B, and Device C immediately after device fabrication at an applied voltage of 6 V showed that. The change in impedance maximum value and current density according to elapsed time can be seen that the impedance value increases most rapidly in case of Device C with high current density. This result is judged from the result that fast deterioration due to high current density appears. It can be confirmed that the current density and luminance characteristics increase as the NPB layer increases as the current density and the luminance characteristics from the change in thickness increase. However, in the case where the NPB layer is the thickest D1, the thickness of Alq3 is relatively small to 10 ㎚, so the recombination probability is smaller than that of D2 where the thickness of Alq3 is relatively 40 ㎚, and the emission luminance is It can be confirmed that it is higher than D2. In the case of Cole-Cole plot, the impedance value decreased as the NPB layer increased with the same tendency as the current density. This phenomenon is displayed because the hole mobility of NPB is higher than the electron mobility of Alq3.
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