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NTIS 바로가기최근 정보통신의 발달에 따라 스마트폰, 각종 전자기기 등의 수요가 급증하고 있다. 이러한 현상은 모바일 산업시장에서의 비휘발성 메모리의 수요 또한 증가시키고 있는데, 이러한 이유로 차세대 메모리의 발전에 대한 관심이 높아지고 있는 실정이다. 그 중 상변환메모리 Phase-change RAM (PRAM)은 고속, 저소비전력, 고밀도, 저비용 등의 이점과 높은 실용화 가능성으로 인하여 차세대 메모리로 주목 받고 있다. PRAM은 극단시간에 단위 전류로 국지적인 가열을 통해 결정-비정질 가역적 상변화 현상을 이용하는 메모리 소자인데, 이러한 ...
저자 | 박철진 |
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학위수여기관 | 전남대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 신화학소재공학과 |
지도교수 | 이현용 |
발행연도 | 2017 |
총페이지 | 39 |
키워드 | Chalcogenide Phase change Ge8Sb2Te11 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14473389&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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