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NTIS 바로가기Graphene oxide-based polyimide nanocomposite(PI-GO) 기반의 저항 변화 메모리를 공정하고 메모리 특성을 연구했다. 완성된 Al/PI-GO/ITO 저항 변화 메모리 소자는 Write-once read-many times(WORM) 특성을 보이고 3.41 x 108의 높은 On/Off 전류 비율을 보였다. 이러한 높은 On/Off 전류 비율은 GO의 우수한 charge ...
Graphene oxide-based polyimide nanocomposite (PI-GO) was prepared and used to fabricate a resistive random access memory (RRAM) device and its memory effect was investigated. The device showed write-once-read-many times (WORM) characteristic with a high ON/OFF current ratio (Ion/Ioff = 3.41 x 108).T...
저자 | 남기용 |
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학위수여기관 | 연세대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 물리학과 |
지도교수 | 조수행 |
발행연도 | 2017 |
총페이지 | iv, 33장 |
키워드 | 폴리이미드 비휘발성 저항 변화 메모리(ReRAM) polyimide graphene oxide nonvolatile ReRAM WORM |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14600545&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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