투명전극은 디스플레이, 태양전지, 광학소자에 적용되어 사용되고 있으며, ITO가 투명전극의 주재료로 사용되고 있다. 그러나 ITO는 공급과 가격의 문제를 지니고 있어, 이를 대체하기 위한 Transparent Conductive Oxide(TCO)가 필요하다. 앞에서 언급한 반도체 산화물 기반의 투명전극을 유연소자의 전극으로 이용하여 유연소자를 제작 하는 연구가 많이 진행되고 있다. 산화물 ...
투명전극은 디스플레이, 태양전지, 광학소자에 적용되어 사용되고 있으며, ITO가 투명전극의 주재료로 사용되고 있다. 그러나 ITO는 공급과 가격의 문제를 지니고 있어, 이를 대체하기 위한 Transparent Conductive Oxide(TCO)가 필요하다. 앞에서 언급한 반도체 산화물 기반의 투명전극을 유연소자의 전극으로 이용하여 유연소자를 제작 하는 연구가 많이 진행되고 있다. 산화물 박막의 경우 구부림과 같은 기계적인 변형에 대해 매우 취약하기 때문에 다른 종류의 유연투명전극이 필요하다. 이에 대한 대안으로 Oxide-Metal-Oxide(OMO) 투명전극은 중간에 금속층이 수 나노 두께로 삽입되어 전기전도도가 좋고, 투과율도 확보가 가능하다. 또한 기계적인 신뢰성도 매우 높은 것으로 보고되고 있다. 제작된 투명전극의 성능을 확인하기 위하여 염료감응 태양전지의 전면전극으로 사용하였다. 염료감응 태양전지의 효율을 결정하는 요소로 빛흡수, 전자주입, 전자수집의 3가지가 있다. 투명전극은 빛 흡수 및 전자수집과 밀접한 관련이 있다. 즉 광흡수를 증가시키기 위해서는 투명전극의 빛 투과율이 높아야 하며, 전자수집을 증가시키기 위해서는 투명전극의 면저항을 감소시켜야 한다. 본 논문에서는 ZnO 기반의 산화물 반도체 투명전극에 대한 연구를 수행하였으며, 유연기판을 이용한 OMO구조의 다층박막의 산화물 반도체 투명전극을 제작하였다. 제작된 투명전극을 염료감응 태양전지에 적용하여 기존에 사용하는 투명전극과 성능을 비교 검증하였다. 산화물 반도체 투명전극 연구에서는 pulsed dc magnetron sputter를 사용하여 유리기판 위에 Ga doped ZnO(GZO, 5wt% Ga2O3) 박막을 다양한 공정조건에서 증착한 후 두께, 비저항, 투과율을 측정하였다. 증착된 GZO 박막의 측정한 결과를 토대로 성능지수를 계산하였다. GZO 박막은 기판온도가 100℃, working pressure가 5.0mTorr, 산소비율이 1:1,000 조건에서 공정을 진행하였을 때, 투과율은 86.14 %, 비저항은 6.76x10-4 Ω•cm로 측정되었다. 이때 성능지수가 10.7 10-3•Ω-1로 가장 높았다. 하지만 GZO박막에서 후열처리 온도가 500 ℃로 상승하면 투과율은 84.57 %에서 89.5%로 상승하지만, 비저항은 7.69x10-4 Ω•cm에서 7.76x10-2 Ω•cm로 급격하게 상승하였다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 물리적인 차단층을 적용하는 다층박막 투명전극을 제작하였다. 다층박막의 경우에 전체적인 면저항은 비저항이 낮은 층의 면저항을 따라가게 된다. 차단층은 Zinc-Tin Oxide(ZTO, 50:50 wt%)를 사용하였다. ZTO는 비저항이 높지만, 투과율이 높고, 고온에서도 안정성을 갖고 있다. 따라서, GZO 박막의 고온에 대한 불안정성 때문에 ZTO/GZO 다층박막을 제안하였고 후열처리 온도에 따른 다층박막의 성능을 측정하였다. ZTO/GZO 다층박막을 500℃에서 후열처리를 했을 때 비저항이 2.11x10-3Ω•cm 에서 3.67x10-3 Ω•cm으로 큰 변화가 없는 것을 확인하였다. 이는 ZTO박막이 산소의 침입을 막아주는 차단층으로 역할을 제대로 수행했기 때문으로 판단된다. 유연 투명전극 연구에서는 일반적으로 OMO에서 많이 사용되는 Ag를 대신하여 전도도는 비슷하지만 가격이 매우 저렴한 Cu를 금속으로 사용하였고, GZO를 산화막으로 사용하였다. OMO 투명전극은 outer bending test를 통하여 구부림에 대한 강도를 측정하였으며, 측정된 산화물 박막의 곡률반경은 11mm이고, GZO/Cu/GZO(GCG) 박막은 8mm로 측정되었다. 이를 통하여 산화물 반도체 투명전극에 비해 기계적 변형에 대한 특성이 많이 개선된 것을 확인하였다. 유리기판 위에 증착된 ZnO 기반의 산화물 반도체 투명전극과 기존의 FTO 투명전극을 염료감응 태양전지의 전면전극으로 사용하여 성능을 비교하였다. 투명전극 위에 도포된 다공성 TiO2의 두께를 레이져3D 현미경으로 측정한 결과 GZO는 10.465um, ZTO/GZO는 10.479um, FTO는 11.467um로 측정되었다. 솔라시뮬레이터를 이용하여 측정한 효율을 비교해보면, GZO는 1.594%, FTO는 3.866%로 측정되었다. 또한, ZTO/GZO 투명전극을 사용한 염료감응 태양전지의 효율이 4.265%를 보였으며, FTO를 사용한 염료감응 태양전지보다 약 10.3% 효율을 개선하였다. 효율 개선의 요인을 살펴보면, dark-current, EIS분석을 통하여 FTO 투명전극보다 ZTO/GZO 투명전극에서 전자 재결합을 개선했기 때문으로 판단된다. 또한 ZTO막은 차단층 역할을 수행하여, 고온에서도 GZO 막의 안정성을 유지하였다. 유연 염료감응 태양전지에 적용하기 위하여 전면전극에 사용하기 위한 저온 소성용 TiO2 페이스트를 제작 해야 한다. 따라서, 저온 소성용 TiO2 페이스트를 TTIP와 TiO2 나노분말을 사용하여 제작하였다. TiO2 페이스트는 바인더 역할을 하는 TTIP의 함량을 달리하여 제작하였다. 염료감응 태양전지 효율은 상용페이스트를 사용한 경우 2.802% 이고, TTIP의 비율이 0.5:1일 때 3.077%로 측정되었다. 이는 TTIP가 TiO2 입자들을 연결하는 바인더 역할을 했기 때문으로 판단된다. 마지막으로 OMO 구조의 유연 투명전극과 상용 ITO 투명전극을 사용하여 태양전지 성능을 비교하였다. ITO 투명전극을 사용한 염료감응 태양전지 효율은 3.077%, GCG 투명전극을 사용한 염료감응 태양전지 효율은 3.191%로 측정되었다. 이는 투명전극의 투과율에 의해서 기인한 것으로 판단된다. 본 논문에서는 산화물반도체 투명전극인 GZO, ZTO/GZO에 대한 연구를 수행하였으며, 이들의 전기적, 광학적 특성을 측정하였다. ZTO/GZO 다층박막 투명전극의 경우 고온에서도 안정성을 확인하였다. 투명전극의 기계적인 강도를 개선하기 위하여, GCG 투명전극의 연구하였으며, 이의 기계적 특성이 개선된 것을 확인하였다. 산화물 반도체 투명전극과 GCG투명전극을 유연 염료감응 태양전지의 전면전극으로 사용하였다. 염료감응 태양전지의 성능을 비교한 결과를 살펴보면, 기존에 사용한 투명전극보다 개선된 결과를 얻었다.
투명전극은 디스플레이, 태양전지, 광학소자에 적용되어 사용되고 있으며, ITO가 투명전극의 주재료로 사용되고 있다. 그러나 ITO는 공급과 가격의 문제를 지니고 있어, 이를 대체하기 위한 Transparent Conductive Oxide(TCO)가 필요하다. 앞에서 언급한 반도체 산화물 기반의 투명전극을 유연소자의 전극으로 이용하여 유연소자를 제작 하는 연구가 많이 진행되고 있다. 산화물 박막의 경우 구부림과 같은 기계적인 변형에 대해 매우 취약하기 때문에 다른 종류의 유연투명전극이 필요하다. 이에 대한 대안으로 Oxide-Metal-Oxide(OMO) 투명전극은 중간에 금속층이 수 나노 두께로 삽입되어 전기전도도가 좋고, 투과율도 확보가 가능하다. 또한 기계적인 신뢰성도 매우 높은 것으로 보고되고 있다. 제작된 투명전극의 성능을 확인하기 위하여 염료감응 태양전지의 전면전극으로 사용하였다. 염료감응 태양전지의 효율을 결정하는 요소로 빛흡수, 전자주입, 전자수집의 3가지가 있다. 투명전극은 빛 흡수 및 전자수집과 밀접한 관련이 있다. 즉 광흡수를 증가시키기 위해서는 투명전극의 빛 투과율이 높아야 하며, 전자수집을 증가시키기 위해서는 투명전극의 면저항을 감소시켜야 한다. 본 논문에서는 ZnO 기반의 산화물 반도체 투명전극에 대한 연구를 수행하였으며, 유연기판을 이용한 OMO구조의 다층박막의 산화물 반도체 투명전극을 제작하였다. 제작된 투명전극을 염료감응 태양전지에 적용하여 기존에 사용하는 투명전극과 성능을 비교 검증하였다. 산화물 반도체 투명전극 연구에서는 pulsed dc magnetron sputter를 사용하여 유리기판 위에 Ga doped ZnO(GZO, 5wt% Ga2O3) 박막을 다양한 공정조건에서 증착한 후 두께, 비저항, 투과율을 측정하였다. 증착된 GZO 박막의 측정한 결과를 토대로 성능지수를 계산하였다. GZO 박막은 기판온도가 100℃, working pressure가 5.0mTorr, 산소비율이 1:1,000 조건에서 공정을 진행하였을 때, 투과율은 86.14 %, 비저항은 6.76x10-4 Ω•cm로 측정되었다. 이때 성능지수가 10.7 10-3•Ω-1로 가장 높았다. 하지만 GZO박막에서 후열처리 온도가 500 ℃로 상승하면 투과율은 84.57 %에서 89.5%로 상승하지만, 비저항은 7.69x10-4 Ω•cm에서 7.76x10-2 Ω•cm로 급격하게 상승하였다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 물리적인 차단층을 적용하는 다층박막 투명전극을 제작하였다. 다층박막의 경우에 전체적인 면저항은 비저항이 낮은 층의 면저항을 따라가게 된다. 차단층은 Zinc-Tin Oxide(ZTO, 50:50 wt%)를 사용하였다. ZTO는 비저항이 높지만, 투과율이 높고, 고온에서도 안정성을 갖고 있다. 따라서, GZO 박막의 고온에 대한 불안정성 때문에 ZTO/GZO 다층박막을 제안하였고 후열처리 온도에 따른 다층박막의 성능을 측정하였다. ZTO/GZO 다층박막을 500℃에서 후열처리를 했을 때 비저항이 2.11x10-3Ω•cm 에서 3.67x10-3 Ω•cm으로 큰 변화가 없는 것을 확인하였다. 이는 ZTO박막이 산소의 침입을 막아주는 차단층으로 역할을 제대로 수행했기 때문으로 판단된다. 유연 투명전극 연구에서는 일반적으로 OMO에서 많이 사용되는 Ag를 대신하여 전도도는 비슷하지만 가격이 매우 저렴한 Cu를 금속으로 사용하였고, GZO를 산화막으로 사용하였다. OMO 투명전극은 outer bending test를 통하여 구부림에 대한 강도를 측정하였으며, 측정된 산화물 박막의 곡률반경은 11mm이고, GZO/Cu/GZO(GCG) 박막은 8mm로 측정되었다. 이를 통하여 산화물 반도체 투명전극에 비해 기계적 변형에 대한 특성이 많이 개선된 것을 확인하였다. 유리기판 위에 증착된 ZnO 기반의 산화물 반도체 투명전극과 기존의 FTO 투명전극을 염료감응 태양전지의 전면전극으로 사용하여 성능을 비교하였다. 투명전극 위에 도포된 다공성 TiO2의 두께를 레이져 3D 현미경으로 측정한 결과 GZO는 10.465um, ZTO/GZO는 10.479um, FTO는 11.467um로 측정되었다. 솔라시뮬레이터를 이용하여 측정한 효율을 비교해보면, GZO는 1.594%, FTO는 3.866%로 측정되었다. 또한, ZTO/GZO 투명전극을 사용한 염료감응 태양전지의 효율이 4.265%를 보였으며, FTO를 사용한 염료감응 태양전지보다 약 10.3% 효율을 개선하였다. 효율 개선의 요인을 살펴보면, dark-current, EIS분석을 통하여 FTO 투명전극보다 ZTO/GZO 투명전극에서 전자 재결합을 개선했기 때문으로 판단된다. 또한 ZTO막은 차단층 역할을 수행하여, 고온에서도 GZO 막의 안정성을 유지하였다. 유연 염료감응 태양전지에 적용하기 위하여 전면전극에 사용하기 위한 저온 소성용 TiO2 페이스트를 제작 해야 한다. 따라서, 저온 소성용 TiO2 페이스트를 TTIP와 TiO2 나노분말을 사용하여 제작하였다. TiO2 페이스트는 바인더 역할을 하는 TTIP의 함량을 달리하여 제작하였다. 염료감응 태양전지 효율은 상용페이스트를 사용한 경우 2.802% 이고, TTIP의 비율이 0.5:1일 때 3.077%로 측정되었다. 이는 TTIP가 TiO2 입자들을 연결하는 바인더 역할을 했기 때문으로 판단된다. 마지막으로 OMO 구조의 유연 투명전극과 상용 ITO 투명전극을 사용하여 태양전지 성능을 비교하였다. ITO 투명전극을 사용한 염료감응 태양전지 효율은 3.077%, GCG 투명전극을 사용한 염료감응 태양전지 효율은 3.191%로 측정되었다. 이는 투명전극의 투과율에 의해서 기인한 것으로 판단된다. 본 논문에서는 산화물반도체 투명전극인 GZO, ZTO/GZO에 대한 연구를 수행하였으며, 이들의 전기적, 광학적 특성을 측정하였다. ZTO/GZO 다층박막 투명전극의 경우 고온에서도 안정성을 확인하였다. 투명전극의 기계적인 강도를 개선하기 위하여, GCG 투명전극의 연구하였으며, 이의 기계적 특성이 개선된 것을 확인하였다. 산화물 반도체 투명전극과 GCG투명전극을 유연 염료감응 태양전지의 전면전극으로 사용하였다. 염료감응 태양전지의 성능을 비교한 결과를 살펴보면, 기존에 사용한 투명전극보다 개선된 결과를 얻었다.
This study is about transparent electrodes. Transparent electrodes are used in displays, solar cells, and optical devices, and ITO is mainly used as a transparent electrode. However, ITO has a problem of supply and price, therefore, it is necessary to replace ITO with Transparent Conductive Oxide (T...
This study is about transparent electrodes. Transparent electrodes are used in displays, solar cells, and optical devices, and ITO is mainly used as a transparent electrode. However, ITO has a problem of supply and price, therefore, it is necessary to replace ITO with Transparent Conductive Oxide (TCO). Many Transparent electrodes based on semiconductor oxide for flexible device are being studied. Oxide thin films are very vulnerable to mechanical deformation such as bending, so other types of transparent electrodes are needed. As an alternative, an oxide-metal-oxide (OMO) transparent electrode is inserted in the middle of the metal layer with a thickness of several nanometers to provide good electrical conductivity and transmittance. Also, mechanical reliability is reported to be very high. The front electrode of the dye-sensitized solar cell was used to confirm the performance of the fabricated transparent electrode. Three factors which are light absorption, electron injection, and electron collection, determine the efficiency of dye-sensitized solar cells. Transparent electrodes are closely related to light absorption and electron collection. In order to increase light absorption, the light transmittance of the transparent electrode must be high, and the sheet resistance of the transparent electrode must decrease for increase the electron collection. In this paper, ZnO-based transparent electrodes were studied and a transparent electrode of multilayer thin film of OMO structure using flexible substrate was fabricated. The fabricated transparent electrode was applied to the dye-sensitized solar cell and the performance of the transparent electrode was compared with conventional transparent electrode. In the study of transparent electrodes, Ga doped ZnO (GZO, 5 wt% Ga2O3) thin films were deposited on glass substrates using pulsed dc magnetron sputter under various process conditions as substrate temperature, working pressure and O2 flow ratio. After that, thickness, resistivity, and transmittance were measured. The figure of merit was calculated based on the measured results of the deposited GZO thin films. The GZO thin films were measured resistivity(6.76x10-4 Ω•cm ) and transmittance(86.14%), When GZO thin film was processed at substrate temperature of 100 ℃, working pressure of 5.0mTorr and oxygen ratio of 1: 1,000. The figure of merit is the highest with 10.7 10-3•Ω-1. The transmittance of the GZO thin films increases from 84.57% to 89.5% when the post-annealing temperature was change from RT to 500℃, but the resistivity of the GZO thin films dramatically increased from 7.69x10-4 Ω•cm to 7.76x10-2 Ω•cm when the post-annealing temperature was change from RT to 500℃. In order to solve this problem, a multilayer thin film transparent electrode using a physical blocking layer was fabricated. In the case of multilayer thin films, the overall sheet resistance follows the sheet resistance of the lower resistivity layer. Zinc-Tin Oxide (ZTO, 50:50 wt%) was used as the blocking layer. ZTO has high resistivity, but it has high transmittance and stability at high temperature. Therefore, ZTO / GZO multilayer thin films were proposed for the high temperature instability of GZO thin films and the performance of the multilayer thin films was measured with the various post-annealing temperatures. The resistivity of ZTO/GZO thin films were confirmed that there is no significant change in 2.11x10-3Ω•cm to 3.67x10-3 Ω•cm when the post-annealing temperature was change from RT to 500℃. The ZTO layer plays the role of a blocking layer to prevent the ingress of oxygen. In this study of flexible transparent electrodes, instead of Ag, which is commonly used in OMO, Cu is used as a metal layer and GZO is used as an oxide layer. The bending strength of the OMO transparent electrode was measured by the outer bending test. The bending radius of the oxide thin film was measured 11 mm, and the bending radius of the GZO/Cu/GZO (GCG) thin film was measured 8 mm. As a result, it was confirmed that the characteristics of the mechanical deformation were much improved as compared with the oxide semiconductor transparent electrode. ZnO-based oxide semiconductor transparent electrodes deposited on a glass substrate and conventional FTO transparent electrodes were used as front electrodes of dye-sensitized solar cells, and their performance was compared. The thickness of the porous TiO2 applied on the transparent electrode was measured with a 3D laser microscope. The results showed that GZO was 10.465 μm, ZTO/GZO was 10.479 μm, and FTO was 11.467 μm. The conversion efficiency were measured as 1.594 %(GZO) and 3.866%(FTO) using solar simulator. Furthermore, ZTO/GZO showed a conversion efficiency of 4.265%, which was enhanced by 10.3% compared to that of the dye-sensitized solar cells using FTO. The factor of efficiency improvement, it was considered that the electron recombination was improved in the ZTO/GZO transparent electrode than the FTO transparent electrode through dark-current and EIS analysis. The ZTO film also served as a blocking layer, and the stability of the GZO film was maintained even at high temperatures. Flexible dye-sensitized solar cells is required to use a low temperature sintering TiO2 paste. Therefore, TiO2 paste for low temperature sintering was fabricated using TTIP and TiO2. TiO2 paste was prepared by changing the amount of titanium isoproxide(TTIP) as a binder. The dye-sensitized solar cell efficiency were measured 2.802 %(commercial paste) and 3.077%(the ratio of TTIP was 0.5:1). It is considered that TTIP plays a role as a binder connecting TiO2 particles. Finally, we compared solar cell performance using flexible transparent electrodes of OMO structure and commercial ITO transparent electrodes. The efficiency of dye-sensitized solar cell using ITO transparent electrode was 3.077% and the efficiency of dye sensitized solar cell using GCG transparent electrode was 3.191%. It is considered that the increase in efficiency is due to the transmittance of the transparent electrode. In this paper, GZO and ZTO/GZO, which are oxide semiconductor transparent electrodes, were studied and their electrical and optical properties were measured. In case of ZTO/GZO multilayer thin film transparent electrode was confirmed at high temperature stability. In order to improve the mechanical strength of the transparent electrode, GCG transparent electrode was studied and its mechanical properties were improved. The oxide semiconductor transparent electrode and the GCG transparent electrode were used as the front electrode of the flexible dye-sensitized solar cell. The results of comparing the performance of the dye-sensitized solar cell, it obtains improved results than the transparent electrode used in conventional.
This study is about transparent electrodes. Transparent electrodes are used in displays, solar cells, and optical devices, and ITO is mainly used as a transparent electrode. However, ITO has a problem of supply and price, therefore, it is necessary to replace ITO with Transparent Conductive Oxide (TCO). Many Transparent electrodes based on semiconductor oxide for flexible device are being studied. Oxide thin films are very vulnerable to mechanical deformation such as bending, so other types of transparent electrodes are needed. As an alternative, an oxide-metal-oxide (OMO) transparent electrode is inserted in the middle of the metal layer with a thickness of several nanometers to provide good electrical conductivity and transmittance. Also, mechanical reliability is reported to be very high. The front electrode of the dye-sensitized solar cell was used to confirm the performance of the fabricated transparent electrode. Three factors which are light absorption, electron injection, and electron collection, determine the efficiency of dye-sensitized solar cells. Transparent electrodes are closely related to light absorption and electron collection. In order to increase light absorption, the light transmittance of the transparent electrode must be high, and the sheet resistance of the transparent electrode must decrease for increase the electron collection. In this paper, ZnO-based transparent electrodes were studied and a transparent electrode of multilayer thin film of OMO structure using flexible substrate was fabricated. The fabricated transparent electrode was applied to the dye-sensitized solar cell and the performance of the transparent electrode was compared with conventional transparent electrode. In the study of transparent electrodes, Ga doped ZnO (GZO, 5 wt% Ga2O3) thin films were deposited on glass substrates using pulsed dc magnetron sputter under various process conditions as substrate temperature, working pressure and O2 flow ratio. After that, thickness, resistivity, and transmittance were measured. The figure of merit was calculated based on the measured results of the deposited GZO thin films. The GZO thin films were measured resistivity(6.76x10-4 Ω•cm ) and transmittance(86.14%), When GZO thin film was processed at substrate temperature of 100 ℃, working pressure of 5.0mTorr and oxygen ratio of 1: 1,000. The figure of merit is the highest with 10.7 10-3•Ω-1. The transmittance of the GZO thin films increases from 84.57% to 89.5% when the post-annealing temperature was change from RT to 500℃, but the resistivity of the GZO thin films dramatically increased from 7.69x10-4 Ω•cm to 7.76x10-2 Ω•cm when the post-annealing temperature was change from RT to 500℃. In order to solve this problem, a multilayer thin film transparent electrode using a physical blocking layer was fabricated. In the case of multilayer thin films, the overall sheet resistance follows the sheet resistance of the lower resistivity layer. Zinc-Tin Oxide (ZTO, 50:50 wt%) was used as the blocking layer. ZTO has high resistivity, but it has high transmittance and stability at high temperature. Therefore, ZTO / GZO multilayer thin films were proposed for the high temperature instability of GZO thin films and the performance of the multilayer thin films was measured with the various post-annealing temperatures. The resistivity of ZTO/GZO thin films were confirmed that there is no significant change in 2.11x10-3Ω•cm to 3.67x10-3 Ω•cm when the post-annealing temperature was change from RT to 500℃. The ZTO layer plays the role of a blocking layer to prevent the ingress of oxygen. In this study of flexible transparent electrodes, instead of Ag, which is commonly used in OMO, Cu is used as a metal layer and GZO is used as an oxide layer. The bending strength of the OMO transparent electrode was measured by the outer bending test. The bending radius of the oxide thin film was measured 11 mm, and the bending radius of the GZO/Cu/GZO (GCG) thin film was measured 8 mm. As a result, it was confirmed that the characteristics of the mechanical deformation were much improved as compared with the oxide semiconductor transparent electrode. ZnO-based oxide semiconductor transparent electrodes deposited on a glass substrate and conventional FTO transparent electrodes were used as front electrodes of dye-sensitized solar cells, and their performance was compared. The thickness of the porous TiO2 applied on the transparent electrode was measured with a 3D laser microscope. The results showed that GZO was 10.465 μm, ZTO/GZO was 10.479 μm, and FTO was 11.467 μm. The conversion efficiency were measured as 1.594 %(GZO) and 3.866%(FTO) using solar simulator. Furthermore, ZTO/GZO showed a conversion efficiency of 4.265%, which was enhanced by 10.3% compared to that of the dye-sensitized solar cells using FTO. The factor of efficiency improvement, it was considered that the electron recombination was improved in the ZTO/GZO transparent electrode than the FTO transparent electrode through dark-current and EIS analysis. The ZTO film also served as a blocking layer, and the stability of the GZO film was maintained even at high temperatures. Flexible dye-sensitized solar cells is required to use a low temperature sintering TiO2 paste. Therefore, TiO2 paste for low temperature sintering was fabricated using TTIP and TiO2. TiO2 paste was prepared by changing the amount of titanium isoproxide(TTIP) as a binder. The dye-sensitized solar cell efficiency were measured 2.802 %(commercial paste) and 3.077%(the ratio of TTIP was 0.5:1). It is considered that TTIP plays a role as a binder connecting TiO2 particles. Finally, we compared solar cell performance using flexible transparent electrodes of OMO structure and commercial ITO transparent electrodes. The efficiency of dye-sensitized solar cell using ITO transparent electrode was 3.077% and the efficiency of dye sensitized solar cell using GCG transparent electrode was 3.191%. It is considered that the increase in efficiency is due to the transmittance of the transparent electrode. In this paper, GZO and ZTO/GZO, which are oxide semiconductor transparent electrodes, were studied and their electrical and optical properties were measured. In case of ZTO/GZO multilayer thin film transparent electrode was confirmed at high temperature stability. In order to improve the mechanical strength of the transparent electrode, GCG transparent electrode was studied and its mechanical properties were improved. The oxide semiconductor transparent electrode and the GCG transparent electrode were used as the front electrode of the flexible dye-sensitized solar cell. The results of comparing the performance of the dye-sensitized solar cell, it obtains improved results than the transparent electrode used in conventional.
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