$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

투명전극 응용을 위한 ZnO박막과 Ga 도핑 된 ZnO박막의 성장 후 열처리에 따른 특성분석
Characterization of ZnO Thin Films and Ga doped ZnO Thin Films Post Annealing for Transparent Conducting Oxide Application 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.7, 2009년, pp.567 - 571  

장재호 (인제대학교 나노시스템공학과) ,  배효준 (인제대학교 나노시스템공학과) ,  이지수 (인제대학교 나노시스템공학과) ,  정광현 (인제대학교 나노시스템공학과) ,  최현광 (인제대학교 나노시스템공학과) ,  전민현 (인제대학교 나노시스템공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Polycrystalline ZnO and Ga doped ZnO (GZO) films are deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering at room temperature. The characteristics of ZnO and GZO films are investigated with X-ray diffraction measurement, UV-VIS-NIR spectrophotometer $(250{\sim}1200nm)$ and hall measure...

주제어

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

제안 방법

  • 표 1. ZnO 와 GZO 박막의 열처리 전후 XRD 분석.
  • 그림 2. ZnO박막과 GZO박막의 열처리 전후 XRD 분석.
  • 높은 전도도와 투과도를 가지는 ZnO박막과 Ga (wt 1 %) 도핑 된 ZnO박막을 상온에서 스퍼터링방법에 의해 성장하고 분석하였다. 박막 성장 후열처 리 통해 ZnO박막과 GZO박막의 결정입자 크기가 커지고 결정성이 향상되는 결과를 얻었으며, 결정의 크기가 커짐에 따라 결정립계가 감소하고, 이동도가 높아져 전도도가 향상되는 결과를 확인하였다.
  • Hall 측정은 Van der Pauw 방법에의해 수행되었다. 박막이 가지는 투과율은 250-1200 nm의 범위에서 UV-VIS-NIR spectrophotometer (Cary 5000 VARIAN) 로 측정하였다.
  • 본 연구에서는 투명전극의 응용을 위해 rf magnetron sputtering 방법에 의하여 상온에서 glass 기판위에 ZiiCM믄*과 GZO박막을 성장하고, 열처리 전후의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 비교평가 하였다.
  • 열처리 전과 후의 박막에 대한 표면구조 상태조사를 위해 FE-SEM (S-4300SE, Hitachi)을 이용하였고, Cu Ka선 (1.54056 A)을 이용한 X-선회절분석 (X'pert Pro diffractometer, PANalytical) 의 반치폭을 통해 결정성 및 결정입자의 크기변화를 측정하였다. Hall 측정은 Van der Pauw 방법에의해 수행되었다.

대상 데이터

  • 순수한 ZnO와 Ga 도핑 된 ZnO의 특성평가를 위 해 99.99 % 순도의 ZnO 타겟과 1 wt% 도핑농도의 GZO 타겟을 이용하여 glass 기판위에 RF magnetron sputtering 방법에 의하여 상온에서 증착하였다. 증착은 75 W의 RF power, 5 mTorr의공정압력, 10 seem의 아르곤 (Ar) 분위 기 하에서 진행되었고, 기판은 타겟으로부터 30 cm 거리에 위치에서 2.

이론/모형

  • 54056 A)을 이용한 X-선회절분석 (X'pert Pro diffractometer, PANalytical) 의 반치폭을 통해 결정성 및 결정입자의 크기변화를 측정하였다. Hall 측정은 Van der Pauw 방법에의해 수행되었다. 박막이 가지는 투과율은 250-1200 nm의 범위에서 UV-VIS-NIR spectrophotometer (Cary 5000 VARIAN) 로 측정하였다.
  • glass 기판위에 증착된 ZnO박막과 GZO박막의표면구조는 FE-SEM을 통해 분석하였다. 그림 1 (a)와 (b)는 각각 ZnO박막과 GZO박막을 300 nm 두께로 성장한 FE-SEM 사진을 보여주고 있으며측정 된 결정입 자의 크기는 ZnO박막이 약 20 nm 이고, GZO박막은 약 10 nm 이다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (13)

  1. E. Fortunato, V. Assuncao, A. Goncalves, A. Marques, H. Aguas, L. Pereira, I. Ferreira, P. Vilarinho, and R. Martins, 'High quality conductive gallium-doped zinc oxide films deposited at room temperature', Thin Solid Films, Vol. 451-452, p. 443, 2004 

  2. J. H. Kim, B. D. Ahn, C. H. Lee, K. A. Jeon, H. S. Kang, and S. Y. Lee, 'Effect of rapid thermal annealing on electrical and optical properties of Ga doped ZnO thin films prepared at room temperature', J. Appl. Phys., Vol. 100, p. 113515, 2006 

  3. K. Y. Cheong, N. Muti, and S. R. Ramanan, 'Electrical and optical studies of ZnO:Ga thin films fabricated via the sol?gel technique', Thin Solid Films, Vol. 410, p. 142, 2002 

  4. J. D. Ye, S. L Gu, S. M. Zhu. S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang, Y. Shi, H. Q. Yu, and Y. D. Ye, 'Gallium doping dependence of single-crystal n-type Zno grown by metal organic chemical vapor deposition', J. Crystal Growth, Vol. 283, p. 279, 2005 

  5. Y. M. Lu, W. S. Hwang, W. Y. Liu, and J. S. Yang, 'Effect of RF power on optical and electrical properties of ZnO thin film by magnetron sputtering', Mater. Chem. Phys., Vol. 72, p. 269, 2001 

  6. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. L, A. Teke, M. A. Reshchikov. S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, 'A comprehensive review of ZnO materials and devices', J. Appl. Phys., Vol. 98, p. 041301, 2005 

  7. H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong, H. Wenisch, T. Yao, and D. C. Look, 'Ga-doped ZnO films grown on GaN templates by plasma-assisted molecular- beam epitaxy', Appl. Phys. Lett., Vol. 77, p. 3761, 2000 

  8. T. Minami, H. Nanto, S. Shooji, and S. Takata, 'The stability of zinc oxide transparent electrodes fabricated by R.F. magnetron sputtering', Thin Solid Films, Vol. 111, p. 167, 1984 

  9. J. H. Lee, B. W. Yeo, and B. O. Park, 'Effects of the annealing treatment on electrical and optical properties of ZnO transparent conduction films by ultrasonic spraying pyrolysis', Thin Solid Films, Vol. 457, p. 333, 2004 

  10. Q. P. Wang, D. H. Zhang, H. L. Ma, X. H. Zhang, and X. J. Zhang, 'Photoluminescence of ZnO films prepared by r.f. sputtering on different substrates', Applied Surface Science, Vol. 220, p. 12, 2003 

  11. Warren, P. R. Tallant, and J. A. Voigt. 'Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors', Appl. Phys. Lett., Vol. 68, p. 403, 1996. 

  12. X. Yu, J. Ma, F. Ji, Y. Wang, X. Zhang, and H. Ma, 'Influence of annealing on the properties of ZnO:Ga films prepared by radio frequency magnetron sputtering', Thin Solid Films, Vol. 483, p. 296, 2005 

  13. J. Y. W. Seto, 'The electrical properties of polycrystalline silicon films', J. Appl. Phys., Vol. 46, p. 5247, 1975 

저자의 다른 논문 :

LOADING...

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

BRONZE

출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로