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NTIS 바로가기삼 불화 질소(Nitrogen trifluoride, NF3) 가스를 주입해, 용량 결합형 반응성 이온 식각 장비 내 실리콘 식각 공정을 진행하였다. 식각 공정과 더불어 식각 공정 진단을 수행하였다. 식각 공정 진단에 사용된 진단기는 잔류 가스 분석기, 발광 분광 분석법이다. 잔류 가스 분석기 진단 결과를 통해, 실리콘의 식각률은 실리콘 식각 공정 시 발생되는 부산물(SiF3)과 관계가 있음을 확인하였다. 유량 고정 하 인가되는 RF 전력이 증가 할 때, 실리콘의 식각률 및 부산물의 양 모두 증가했다. 하지만, 위 상황에서 발광 분광 ...
저자 | 권희태 |
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학위수여기관 | 광운대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자바이오물리학과 |
지도교수 | 권기청 |
발행연도 | 2019 |
총페이지 | xvi, 61 p. |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15112840&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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