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NTIS 바로가기대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2), 2001 June 01, 2001년, pp.25 - 28
유재수 (광주과학기술원 정보통신공학과) , 송진동 (광주과학기술원 정보통신공학과) , 배성주 (광주과학기술원 정보통신공학과) , 정지훈 (광주과학기술원 정보통신공학과) , 이용탁 (광주과학기술원 정보통신공학과)
In this paper, we have investigated the effects of gas flow rate, rf power, process pressure and Ar addition on reactive ion etching of InP, InGaAs and InAlAs using Sic14 and Cl
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