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삼 불화 질소(Nitrogen trifluoride, NF3) 가스를 주입해, 용량 결합형 반응성 이온 식각 장비 내 실리콘 식각 공정을 진행하였다. 식각 공정과 더불어 식각 공정 진단을 수행하였다. 식각 공정 진단에 사용된 진단기는 잔류 가스 분석기, 발광 분광 분석법이다. 잔류 가스 분석기 진단 결과를 통해, 실리콘의 식각률은 실리콘 식각 공정 시 발생되는 부산물(SiF3)과 관계가 있음을 확인하였다. 유량 고정 하 인가되는 RF 전력이 증가 할 때, 실리콘의 식각률 및 부산물의 양 모두 증가했다. 하지만, 위 상황에서 발광 분광 ...

삼 불화 질소(Nitrogen trifluoride, NF3) 가스를 주입해, 용량 결합형 반응성 이온 식각 장비 내 실리콘 식각 공정을 진행하였다. 식각 공정과 더불어 식각 공정 진단을 수행하였다. 식각 공정 진단에 사용된 진단기는 잔류 가스 분석기, 발광 분광 분석법이다. 잔류 가스 분석기 진단 결과를 통해, 실리콘의 식각률은 실리콘 식각 공정 시 발생되는 부산물(SiF3)과 관계가 있음을 확인하였다. 유량 고정 하 인가되는 RF 전력이 증가 할 때, 실리콘의 식각률 및 부산물의 양 모두 증가했다. 하지만, 위 상황에서 발광 분광 분석법을 통해 측정된 불소 원자선은 점진적으로 감소하였다. 그리고, 유량 고정 하 압력이 증가하는 상황에서 실리콘의 식각률 및 부산물의 양 또한 모두 증가하였지만, 불소 원자선은 RF 전력 증가 상황과 다르게 증가하였다. 더불어, NF3 유량 변화 시 NF3 유량이 증가 할수록 실리콘의 식각률 또한 빨라졌는데 이는 체류시간으로부터 기인됨을 확인 할 수 있었다.