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NTIS 바로가기In this study, silicon dioxide (SiO2) were deposited using a 1,2-bis(diisopropylamino)disilane (BDIPADS) precursor in a low temperature with the plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) and thermal ALD process. The results using BDIPADS showed higher growth rate than the SiO2 film using diis...
저자 | Hyunho Lee |
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학위수여기관 | 연세대학교 일반대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기전자공학과 전기전자공학 |
지도교수 | 김형준 |
발행연도 | 2019 |
총페이지 | vii, 43p. |
키워드 | Atomic layer deposition plasma-enhanced ALD precursor reactant 1 2-bis(diisopropylamino)disilane (BDIPADS) diisopropylaminosilane (DIPAS) amide group low temperature self-catalytic reaction ligand lithography mask Si-Si cleavage |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15303302&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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