초록 ▼

o 를 CVD 또는 ALD법으로 증착을 하는 데 있어서, Si precursor로 사용되고 있는 대표적인 물질들로는 3DMAS, 4DMAS, TEMAS, BTBAS등이 있으며, 통상 분자량이 200 이상으로 무거운 분자에 속하며, 증기압도 BTBAS를 제외하고는 상온에서 0.01 torr 정도로 낮은 편에 속한

o 를 CVD 또는 ALD법으로 증착을 하는 데 있어서, Si precursor로 사용되고 있는 대표적인 물질들로는 3DMAS, 4DMAS, TEMAS, BTBAS등이 있으며, 통상 분자량이 200 이상으로 무거운 분자에 속하며, 증기압도 BTBAS를 제외하고는 상온에서 0.01 torr 정도로 낮은 편에 속한다.
o 이러한 저온 증착의 애로점을 해결하는 방법 중의 하나는 상온에서 증기압이 비교적 높은 precursor를 개발하는 방법이 있다.
o 본 과제의 최종 목표는 실리콘 전구체들을 디자인하고 합성하여 전구체의 물질 특성을 파악한 후, 저온에서 ALD 또는 CVD 방식으로 산화막을 증착하여 막질의 특성을 측정함으로써 저온공정에서 사용 가능한 실리콘 전구체를 개발하여 소자업체에 제시하는 것이다.
2. 기술개발의 목적 및 중요성
o 본 과제에 의해서 증기압이 높은 저온 증착용 Si precursor를 개발하게 되면, 새로운 precursor의 설계 방법을 체계화시킬 수 있게 되며, 새로이 개발된 리간드의 다른 금속 전구체의 개발에의 확산 적용 등을 통해서 precursor 개발 방법의 표준으로 이용하여, 반도체 및 디스플레이용 박막 증착용 precursor의 개발에 적용가능하다.

목차 Contents

• 첨단장비활용 기술개발사업 최종보고서 ... 1
• 제출문 ... 2
• 과제 요약서(초록) ... 3
• 목차 ... 5
• 제 1 장 기술 자료 정리 ... 6
• 제 1 절 SiO₂ 박막의 개요 ... 6
• 1. 최근의 반도체, 디스플레이 소자에서의 저온 SiO₂의 필요성 ... 6
• 2. 저온 SiO₂의 증착법 ... 7
• 3. 저온 SiO₂의 증착을 위한 새로운 방법의 필요성 ... 9
• 제 2 절 국내·외 관련기술 현황 및 특허 동향 ... 10
• 1. 국내·외 관련기술 동향 ... 10
• 2. 국내·외 특허동향 ... 10
• 제 2 장 기술개발 내용 및 결과 ... 11
• 제 1 절 기술개발 추진전략 및 체계 ... 11
• 1. 개발 추진 전략 ... 11
• 2. 세부 개발 내용별 수행 방법 ... 12
• 3. 과제 수행 과정 ... 12
• 제 2 절 분자모델링에 의한 실리콘 전구체 설계 ... 13
• 1. 실험 방법 ... 13
• 2. 실험 결과 ... 14
• 제 3 절 전구체의 합성 및 특성 확인 ... 15
• 1. 실험 방법 ... 15
• 2. 실험 결과 ... 17
• 제 4 절 전구체의 열안정성 확인 ... 23
• 1. 실험 방법 ... 23
• 2. 실험 결과 ... 23
• 제 5 절 저온ALD 증착 및 막질 평가 ... 24
• 1. 실험 방법 ... 24
• 2. 실험 결과 ... 24
• 제 3 장 결과 정리 ... 26
• 제 1 절 정량적 목표 대비 실적 ... 26
• 제 2 절 결과 정리 ... 26
• 제 3 절 첨부자료 ... 27
• 1. 공동연구기관(한양대학교) 실험결과 보고서 ... 27
• 2. 한국표준과학연구소 평가결과보고서 ... 34
• 제 4 장 사업화 계획 ... 40
• 제 1 절 개발기술 활용 방안 ... 40
• 1. 경제적 예상효과(수입대체효과 등) ... 40
• 2. 성장성 및 기술 파급효과 ... 40
• 3. 개발 기술 활용 방안 ... 41
• 제 2 절 개발된 기술을 활용한 사업화 방안 ... 41
• 1. 제품화 개발 계획 ... 41
• 2. 양산 및 판로 확보 계획 ... 42