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반도체 소자의 고집적화로 인하여 design rule은 10nm이하의 시대로 접어들게 되었고, 이에 따른 새로운 반도체 공정 기술의 발전은 가속화되고 있다. 기존의 반도체 식각 공정에서는 플라즈마를 이용하여 활성화된 반응물과 기판의 화학적 또는 물리적 반응을 이용하여 식각하는데, 이 플라즈마 식각공정(plasma etching)은 식각제의 흡착과 식각반응이 동시에 일어나 식각 두께를 조절하기 어려운 문제가 있다. 반면, 원자층 식각(atomic layer etching)의 경우에는 식각제의 흡착 반응과 식각 반응이 따로 일어나며 자기 제한적 반응 특성을 가지기 때문에 원자 수준에서의 식각 두께를 조절할 수 있다.
따라서, 본 연구에서는 원자 수준의 정밀도를 갖는 식각 공정인 원자층 식각 공정을 이용하여 cycle 수에 따라 실리콘의 식각 두께를 조절하고자 하였으며, 식각제와 에너지빔의 역할을 관찰 및 이해하여 식각반응기구를 규명하였다. 또, cycle 수에 따라 식각 두께를 정밀하게 조절할 수 있는 것을 확인했으며, 식각 공정 후의 ...
저자 | 송은진 |
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학위수여기관 | 부산대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 재료공학과 |
지도교수 | 권세훈 |
발행연도 | 2019 |
총페이지 | viii, 66 장 |
키워드 | 반도체 공정 기술 반도체 소자 플라즈마 식각공정 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15367770&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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