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NTIS 바로가기본 논문에서는 차세대 저전력, 고효율 반도체 로직 소자인 negative capacitance field-effect transistor (NCFET)을 소개하고, NCFET을 이상적으로 동작 시키기 위해 필요한 디자인 가이드 라인을 제안한다. 특히, 전류-전압 특성에서, 이력현상(hysteresis) 없이 높은 전류를 얻기 위해 필요한 capacitance matching 조건을 ...
저자 | 임경진 |
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학위수여기관 | 아주대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자공학과 |
지도교수 | 김상완 |
발행연도 | 2020 |
총페이지 | 47 |
키워드 | Landau parameters NCFET design guide |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15645254&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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