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Wearable/Flexible 디바이스와 같은 다양한 첨단 산업에 대한 연구가 활발하게 진행됨에 따라 고투과·저저항 특성과 함께 유연성을 가지는 투명전극은 고성능 광전소자의 개발을 위한 필수적인 조건이다. 본 연구에서는 Al, Cu, Ag 금속을 OMO
(Oxide/Metal/Oxide) 구조의 투명전극으로 적용에 대한 연구를 수행하였다.
첫 번째로 Al OMO 투명전극은 Al 박막의 두께가 8 nm 일 때 16.5 Ohm/Sq.의 ...

Wearable/Flexible 디바이스와 같은 다양한 첨단 산업에 대한 연구가 활발하게 진행됨에 따라 고투과·저저항 특성과 함께 유연성을 가지는 투명전극은 고성능 광전소자의 개발을 위한 필수적인 조건이다. 본 연구에서는 Al, Cu, Ag 금속을 OMO
(Oxide/Metal/Oxide) 구조의 투명전극으로 적용에 대한 연구를 수행하였다.
첫 번째로 Al OMO 투명전극은 Al 박막의 두께가 8 nm 일 때 16.5 Ohm/Sq.의 면저항과 가시광선 파장 영역 (400-800 nm) 내 50.3%의 평균 투과도가 측정되었다.
하지만 고성능 광전소자용 투명전극의 용도로 적용을 하기에는 부족한 물성을 가지고 있으며, 추후 극박 두께인 Al 박막의 젖음성을 개선하기 위해 심도 있는 연구가 필요해 보인다.
두 번째로 Cu OMO 투명전극은 Cu 박막의 두께가 8 nm 일 때 9.9Ohm/Sq.의 면저항과 84%의 평균 투과도가 측정되었다.
Haacke 성능 지수는 18.9×10-3 Ohm-1로 시중에 보고된 Cu 기반 투명전극의 수치를 능가하는 결과를 확인할 수 있다. 마지막으로 Ag OMO 투명전극은 Ar 플라즈마 표면 처리 기법의 적용을 통해 Ag 박막의 두께가 8 nm 일 때 6.1 Ohm/Sq.의 면저항과 89.9%의 평균 투과도가 측정되었다.
이러한 조건의 Haacke 성능 지수는 56.2×10-3 Ohm-1로 전기적·광학적 특성이 가장 우수한 조건임을 의미한다.
그뿐만 아니라 550 nm 파장 기준 Haacke 성능 지수 (104.1×10-3 Ohm-1)는 시중에 보고된 ITO 투명전극 및 그래핀, 금속 나노와이어, 탄소나노튜브 등 다양한 종류의 투명전극과 비교하였을 때 우수하다는 것을 의미한다.