최근 반도체 회로선폭의 미세화는 반도체 식각 공정에 사용되는 고출력 플라즈마와 내플라즈마 특성이 우수한 공정 챔버용 세라믹 소재를 요구하고 있다. 공정 챔버용 세라믹 소재로 Al2O3, Y2O3 및 CVD-SiC 등이 있다. 용사 코팅 Y2O3의 고가 원료 및 코팅박리와 입자탈락의 문제와 Al2O3의 낮은 내플라즈마 특성 및 CVD-SiC의 고비용 공정은 개선이 필요하다. 따라서 경제성을 고려한 내플라즈마 신소재와 코팅방법에 대한 연구가 지속되고 있다. 본 연구는 우수한 내플라즈마 특성이 보고된 YAS계 ...
최근 반도체 회로선폭의 미세화는 반도체 식각 공정에 사용되는 고출력 플라즈마와 내플라즈마 특성이 우수한 공정 챔버용 세라믹 소재를 요구하고 있다. 공정 챔버용 세라믹 소재로 Al2O3, Y2O3 및 CVD-SiC 등이 있다. 용사 코팅 Y2O3의 고가 원료 및 코팅박리와 입자탈락의 문제와 Al2O3의 낮은 내플라즈마 특성 및 CVD-SiC의 고비용 공정은 개선이 필요하다. 따라서 경제성을 고려한 내플라즈마 신소재와 코팅방법에 대한 연구가 지속되고 있다. 본 연구는 우수한 내플라즈마 특성이 보고된 YAS계 프릿 조성을 제어하여 용융코팅 후 상분율을 제어하고자 하였으며, 특히 YAS계 소재 중 내플라즈마성이 우수하다고 알려진 YAG(Y3Al5O12) 결정상 분율을 높이고자 하였다. YAS계 프릿의 Al2O3 모재 코팅 시 코팅층의 상은 프릿 원료 산화물간 반응 및 반응량 고려를 통해 제어 가능하였으며, 이를 통해 최종적으로 YAG 결정상(91.23%) 및 비정질상(8.77%)으로 구성된 코팅층을 제조하였다. 제조된 YAG 코팅층의 내플라즈마성은 상용 Al2O3 대비 9.5배 우수한 성능을 나타내었다.
최근 반도체 회로선폭의 미세화는 반도체 식각 공정에 사용되는 고출력 플라즈마와 내플라즈마 특성이 우수한 공정 챔버용 세라믹 소재를 요구하고 있다. 공정 챔버용 세라믹 소재로 Al2O3, Y2O3 및 CVD-SiC 등이 있다. 용사 코팅 Y2O3의 고가 원료 및 코팅박리와 입자탈락의 문제와 Al2O3의 낮은 내플라즈마 특성 및 CVD-SiC의 고비용 공정은 개선이 필요하다. 따라서 경제성을 고려한 내플라즈마 신소재와 코팅방법에 대한 연구가 지속되고 있다. 본 연구는 우수한 내플라즈마 특성이 보고된 YAS계 프릿 조성을 제어하여 용융코팅 후 상분율을 제어하고자 하였으며, 특히 YAS계 소재 중 내플라즈마성이 우수하다고 알려진 YAG(Y3Al5O12) 결정상 분율을 높이고자 하였다. YAS계 프릿의 Al2O3 모재 코팅 시 코팅층의 상은 프릿 원료 산화물간 반응 및 반응량 고려를 통해 제어 가능하였으며, 이를 통해 최종적으로 YAG 결정상(91.23%) 및 비정질상(8.77%)으로 구성된 코팅층을 제조하였다. 제조된 YAG 코팅층의 내플라즈마성은 상용 Al2O3 대비 9.5배 우수한 성능을 나타내었다.
Recently, ultra fine semiconductor circuit tends to require higher plasma power and highly plasma-resistant ceramic components in plasma processing chamber. Ceramic materials used for plasma processing chamber are Al2O3, Y2O3, and CVD-SiC etc. Spalling and thereby contamination of spray-coated Y2O3,...
Recently, ultra fine semiconductor circuit tends to require higher plasma power and highly plasma-resistant ceramic components in plasma processing chamber. Ceramic materials used for plasma processing chamber are Al2O3, Y2O3, and CVD-SiC etc. Spalling and thereby contamination of spray-coated Y2O3, which is the highest plasma resistant ceramics, poor plasma resistance of Al2O3 and high processing cost of CVD-SiC need to be improved. Therefore, development for new plasma resistant materials and economical coating method is continuously in progress. In this study, batch compositions of YAS frit was designed to control phase content in YAS coating layer. Specially the objective was to increase YAG phase content in YAS coating layer, which is reported to have high plasma resistance in YAS system. When YAS frit was coated on Al2O3 parent ceramics, phase of YAS coating layer was successfully controlled by considering the amount of phase reactions between constituent oxides in YAS frit batch compositions. Finally, coating layer with YAG phase content(91.23%) and amorphous phase content(8.77%) was fabricated. Plasma resistance of the prepared YAG coating layer was 9.5 times higher than that of commercial Al2O3.
Recently, ultra fine semiconductor circuit tends to require higher plasma power and highly plasma-resistant ceramic components in plasma processing chamber. Ceramic materials used for plasma processing chamber are Al2O3, Y2O3, and CVD-SiC etc. Spalling and thereby contamination of spray-coated Y2O3, which is the highest plasma resistant ceramics, poor plasma resistance of Al2O3 and high processing cost of CVD-SiC need to be improved. Therefore, development for new plasma resistant materials and economical coating method is continuously in progress. In this study, batch compositions of YAS frit was designed to control phase content in YAS coating layer. Specially the objective was to increase YAG phase content in YAS coating layer, which is reported to have high plasma resistance in YAS system. When YAS frit was coated on Al2O3 parent ceramics, phase of YAS coating layer was successfully controlled by considering the amount of phase reactions between constituent oxides in YAS frit batch compositions. Finally, coating layer with YAG phase content(91.23%) and amorphous phase content(8.77%) was fabricated. Plasma resistance of the prepared YAG coating layer was 9.5 times higher than that of commercial Al2O3.
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