본 논문은 Double pulse test를 기반으로 다이오드 역회복 특성에 따른 SiC MOSFET의 스위칭 손실 분석을 다룬다. 다이오드는 순방향으로 전압을 인가하여 전류가 흐르다가 순간적인 역방향으로의 전압 변경은 이상적인 경우의 다이오드는 전류의 흐름을 차단하게 된다. 하지만 실제 사용되는 다이오드는 이상적이지 않기 때문에 역방향으로 전압을 변경할 경우에 전류가 바로 차단되지 않고 일정한 시간이 시간이 지난 뒤에 차단이 된다. 이런 특성을 다이오드의 역회복 특성이라고 한다. Double pulse test는 두 번의 ...
본 논문은 Double pulse test를 기반으로 다이오드 역회복 특성에 따른 SiC MOSFET의 스위칭 손실 분석을 다룬다. 다이오드는 순방향으로 전압을 인가하여 전류가 흐르다가 순간적인 역방향으로의 전압 변경은 이상적인 경우의 다이오드는 전류의 흐름을 차단하게 된다. 하지만 실제 사용되는 다이오드는 이상적이지 않기 때문에 역방향으로 전압을 변경할 경우에 전류가 바로 차단되지 않고 일정한 시간이 시간이 지난 뒤에 차단이 된다. 이런 특성을 다이오드의 역회복 특성이라고 한다. Double pulse test는 두 번의 펄스를 인가하여 스위칭 순간의 전압과 전류, 다이오드의 전류를 측정한다. 이러한 과정은 다이오드의 역회복 특성으로 인한 스위칭 특성을 측정할 수 있다. 본 논문에서는 SiC MOSFET의 특성을 측정한다. Double pulse test는 600V, 20A에서 수행된다. 그리고 다이오드는 표준 다이오드, Ultra Fast Recovery 다이오드, SiC Schottky 다이오드 세 종류의 다이오드를 비교실험 하였다. 실험 후에는 결과 값을 통하여 다이오드 역회복 전류의 따른 스위치 손실을 계산하고 세 종류의 다이오드에 따른 차이를 분석하였다.
본 논문은 Double pulse test를 기반으로 다이오드 역회복 특성에 따른 SiC MOSFET의 스위칭 손실 분석을 다룬다. 다이오드는 순방향으로 전압을 인가하여 전류가 흐르다가 순간적인 역방향으로의 전압 변경은 이상적인 경우의 다이오드는 전류의 흐름을 차단하게 된다. 하지만 실제 사용되는 다이오드는 이상적이지 않기 때문에 역방향으로 전압을 변경할 경우에 전류가 바로 차단되지 않고 일정한 시간이 시간이 지난 뒤에 차단이 된다. 이런 특성을 다이오드의 역회복 특성이라고 한다. Double pulse test는 두 번의 펄스를 인가하여 스위칭 순간의 전압과 전류, 다이오드의 전류를 측정한다. 이러한 과정은 다이오드의 역회복 특성으로 인한 스위칭 특성을 측정할 수 있다. 본 논문에서는 SiC MOSFET의 특성을 측정한다. Double pulse test는 600V, 20A에서 수행된다. 그리고 다이오드는 표준 다이오드, Ultra Fast Recovery 다이오드, SiC Schottky 다이오드 세 종류의 다이오드를 비교실험 하였다. 실험 후에는 결과 값을 통하여 다이오드 역회복 전류의 따른 스위치 손실을 계산하고 세 종류의 다이오드에 따른 차이를 분석하였다.
This paper deals with the analysis of switching loss of SiC MOSFET according to diode reverse recovery characteristics based on Double pulse test. When a diode is applied with a voltage in the forward direction and current flows, the ideal diode blocks the current flow when the voltage is instantane...
This paper deals with the analysis of switching loss of SiC MOSFET according to diode reverse recovery characteristics based on Double pulse test. When a diode is applied with a voltage in the forward direction and current flows, the ideal diode blocks the current flow when the voltage is instantaneously changed in the reverse direction. However, since diodes that are actually used are not ideal, when the voltage is changed in the reverse direction, the current is not cut off immediately, but after a certain period of time passes. This characteristic is called the reverse recovery characteristic of the diode. Double pulse test measures the voltage, current and diode current at the moment of switching by applying two pulses. This process can measure the switching characteristics due to the reverse recovery characteristics of the diode. In this paper, we measure the characteristics of SiC MOSFET. Double pulse test is performed at 600V, 20A. And the diodes were compared with three types of diodes : standard diode, Ultra Fast Recovery diode, and SiC Schottky diode. After the experiment, switch loss due to diode reverse recovery current through the result value was calculated and the difference between the three types of diodes was analyzed.
This paper deals with the analysis of switching loss of SiC MOSFET according to diode reverse recovery characteristics based on Double pulse test. When a diode is applied with a voltage in the forward direction and current flows, the ideal diode blocks the current flow when the voltage is instantaneously changed in the reverse direction. However, since diodes that are actually used are not ideal, when the voltage is changed in the reverse direction, the current is not cut off immediately, but after a certain period of time passes. This characteristic is called the reverse recovery characteristic of the diode. Double pulse test measures the voltage, current and diode current at the moment of switching by applying two pulses. This process can measure the switching characteristics due to the reverse recovery characteristics of the diode. In this paper, we measure the characteristics of SiC MOSFET. Double pulse test is performed at 600V, 20A. And the diodes were compared with three types of diodes : standard diode, Ultra Fast Recovery diode, and SiC Schottky diode. After the experiment, switch loss due to diode reverse recovery current through the result value was calculated and the difference between the three types of diodes was analyzed.
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