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GaAs FET를 이용한 저잡음증폭기 설계에 관한 연구
A Study on the Design of Microwave Low Noise Amplifier Using GaAs FET 원문보기

한국통신학회논문지 = The journal of the Korean institute of communication science, v.11 no.2, 1986년, pp.101 - 107  

전광일 (현대전자산업주식회사) ,  주창복 (경남대학교전자공학과) ,  박정기 (고려대학교전자전산공학과)

초록
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Packaged GaAs FET를 利用한 12GHz帶 마이크로波 低雜音增幅器를 設計, 製作하였다. 實驗結果 使用周波數帶域에서 雜音指數 2.3dB 以下, 電力利得 15~18.2dB, 入.出力側 VSWR 약 2.5의 것을 얻었다. 中心周波數 帶域이 약간 높은 쪽으로 shift 되어 있고 VSWR가 약간 높게 되어 있으나 이것은 앞으로 마이크로스트 線의 길이와 補償, 修訂등으로 改善될 수 있을 것으로 생각된다.로 생각된다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Analysis and design procedure for the low noise amplifier design are presented. A Microwave low noise amplifier is designed and fabricated using packaged GaAs FET at the center frequency of 12GHa. The experimental results with respect to the noise figure and power gain are quite agreeable with the d...

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