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NTIS 바로가기전자공학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics, v.25 no.10, 1988년, pp.1202 - 1208
고재홍 (漢陽大學校 電子工學科) , 김충원 (漢陽大學校 電子工學科) , 박성호 (漢陽大學校 電子工學科) , 한백형 (漢陽大學校 電子工學科)
n-AIGaAs/GaAs 계면에서의 2 차원 전자가스(2DEG)의 밀도와 전자상태를 각각 고전역학적인 방법과 양자역학적인 방법으로 계산하였다. Spacer두께와 AIGaAs층의 도핑농도가 2DEG 밀도에 주는 영향과 온도와 GaAs층의 불순물 농도가 전자상태에 미치는 영향을 조사하였다.
The electron density and electronic states in n- AlGaAs/GaAs heterointerface are calculated by using classical- and quantum-mechanics, respectively. We examine the effects of spacer layer thickness and doping concentration in AlGaAs layer on 2DEG density. Also, the dependences of electronic states o...
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