[논문]단일 이종접합 구조에서의 2차원 전자개스(2DEG)의 수치적 연산을 위한 양자역학적 분석

황광철; 김진욱; 원창섭; 안형근; 한득영

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단일 이종접합 구조에서의 2차원 전자개스(2DEG)의 수치적 연산을 위한 양자역학적 분석
Quantum Mechanical Analysis for the Numerical Calculation of Two-Diemensional Electron Gas(2DEG) in Single-Heterojunction Structures 원문보기

전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문, v.49 no.10, 2000년, pp.564 - 569

황광철 (건국대 전기공학과) , 김진욱 (건국대 전기공학과) , 원창섭 (건국대 전기공학과) , 안형근 (건국대 전기공학과) , 한득영 (건국대 전기공학과)

Abstract ▼ AI-Helper

This paper analyzed single AlGaAs/GaAa heterojunction energy band structures by solving Schr dinger's equation and Poisson's equation self-consistently. Four different concentrations, positively ionized donors, holes in the valence band, free electrons in the conduction band and 2DEG are taken into account for the whole system. 2DEG from both of the structures are obtained and compared with the date available in the literatures. Differential capacitances are also calculated from the concentration profiles obtained to prove the validity of the single AlGaAs/GaAs system. Finally, theoretical predictions for both of 2DEGs and the capacitances show good agreement with the experimental data referred in this study. It has only an error of les than 10 percent.

주제어

참고문헌 (7)

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R. Dingle, H. L. Stomer, A. C. Gossard, W. Wiegmann, 'Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices', Applied Physics Letter, vol. 33, pp. 665-667, October 1978

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T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, Nanbu, 'A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlGaAs heterojunction', Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 19, pp. L225-L227, May 1980

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N.H. Sheng, C. P. Lee, R. T. Chen, D. L. Miller, 'GaAs/AlGaAs double heterostructure high electron mobility transistors', IEEE International Electron Device Meeting Conference, pp352-355, 1984
P. C. Chow, 'Computer Solution to the schrodinger Equation', Journal of Applied physics, vol. 40, pp. 730-734, May 1972
R. Anholt, Electrical and thermal Characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTS, Artech House, 1995
H. Ahn, M. El-Nokali, 'An Analytical Model for High Electron Mobility Transistors', IEEE Transactions on Electro Devices, vol. 41, no. 6, pp. 874-878, June 1994

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