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NTIS 바로가기전자공학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics, v.27 no.10, 1990년, pp.113 - 123
황성보 (浦項工科大學校 化學工學科) , 최경근 (浦項工科大學校 化學工學科) , 이시우 (浦項工科大學校 化學工學科)
Tungsten film was deposited on the single crystal silicon wafer in a low pressure chemical vapor deposition reactor from silane and tungsten hexafluoride in the temperature range of
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