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NTIS 바로가기분석과학 = Analytical science & technology, v.5 no.4, 1992년, pp.455 - 464
강성철 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) , 김수종 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) , 손민영 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) , 박춘근 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀)
Using FT-IR, we determined the depth of silylated layers produced from various gas-phase-silylation conditions was proposed by using Fourier Transform Infrared (FT-IR) spectroscopic analysis. The depth of silylated layer was determined from absorbance measurments of the significant peaks (Si-O-ph, S...
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