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NTIS 바로가기분석과학 = Analytical science & technology, v.5 no.4, 1992년, pp.359 - 366
손민영 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) , 정재경 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) , 박진성 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) , 강성철 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀)
Using micro-Raman spectrometer, we investigated the evaluation of microstress on silicon surface after the local thermal oxidation. The induced stress of silicon surface after local thermal oxidation shows maximum value at the interface of silicon oxide and active area. The smaller the size of activ...
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