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반도체 사진공정에서 실리콘 웨이퍼 위의 Silylated Resist의 Fourier 변환 적외선 분광분석
Fourier Transform Infrared Spectroscopic Analysis of the Silylated Resist on Silicon Wafers in Semiconductor Lithographic Process 원문보기

분석과학 = Analytical science & technology, v.5 no.4, 1992년, pp.455 - 464  

강성철 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) ,  김수종 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) ,  손민영 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀) ,  박춘근 (삼성전자 반도체 생산기술센타 분석기술팀)

초록
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본 논문에서는 FT-IR 분광분석법을 이용하여 여러 가지 반응조건에서 기체상 silylation 반응에 의해 생성된 silylated layer의 depth를 비파괴적으로 정량하는 방법을 제안하였다. Silylated layer의 depth는 FT-IR 스펙트럼의 특성 봉우리들(Si-O-ph, Si-C, Si-H)의 흡광도를 바탕 스펙트럼 공제법으로 측정하여 SEM의 두께 측정치와 비교하여 정량하였다. FT-IR 분광분석법을 이용한 Silylated layer의 depth 분석은 비파괴적이고 정량적인 방법으로, 이 방법은 silylation process window를 설정하는 데 적합하다는 것을 알았다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Using FT-IR, we determined the depth of silylated layers produced from various gas-phase-silylation conditions was proposed by using Fourier Transform Infrared (FT-IR) spectroscopic analysis. The depth of silylated layer was determined from absorbance measurments of the significant peaks (Si-O-ph, S...

주제어

#silylation   #FT-IR   #gas phase silylation  

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