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Pt/Ti/Si 기판위에 형성시킨 PZT박막의 특성
Characterizations of Sputtered PZT Films on Pt/Ti/Si Substrates. 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.4 no.2, 1994년, pp.143 - 151  

황유상 (한양대학교 재료공학과) ,  백수현 (한양대학교 재료공학과) ,  백상훈 (한양대학교 재료공학과) ,  박치선 (한양대학교 재료공학과) ,  마재평 (호남대학교 전자공학과) ,  최진석 (삼성전자 반도체부문 기홍연구소) ,  정재경 (삼성전자 반도체부문 기홍연구소) ,  김영남 (삼성전자 반도체부문 기홍연구소) ,  조현춘 (산업기술정보원)

초록
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$(PbZr_{52},Ti_{48})O_{3}$인 composite ceramic target을 사용하여 R. F. 마그네트론 스퍼터링 방법으로 기판온도 $300^{\circ}C$에서 Pt/Ti/Si 기판위에 PZT 박막을 증착하였다. 페롭스 카이트 PZT박막을 얻기 위하여 PbO분위기에서 로열처리를 행하였다. 하부전극으로 Pt를 사용하였으며 Pt(205$\AA$)/Ti(500 $\AA$)/Si 및 Pt(1000$\AA$)/Ti(500$\AA$)/Si기판을 준비하여 Pt두께화 Ti층이 산소의sink로 작용함으로서 이를 가속화하였다. Ti층의 상부는 산소의 확산으로 인하여 TiOx층으로 변태하였고 하부는 in diffused Pt와 함께 실리사이드층을 형성하였다. TiOx 층의 형성은PZT층의 방향성에 영향을 주었다. 유전상수 (10kHz), 누설전류, 파괴전압, 잔류분극 및 항전계는 각각 571, 32,65$\mu A /\textrm{cm}^2$, 0.40MV/cm, 3.3$\mu C /\textrm{cm}^2$, 0.15MV/cm이었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

On PT/Ti/Si substrates, PZT thln fllms are deposited at $300^{\circ}C$ by rf magnetron sputtering uslng a $(PbZr_{52}, Ti_{48})O_{3}$ composltc cerarnlc target. To abtaln, the stable phase, perovskltc structure, furnace annealmg techmque had been cmplo:~d In PbO amb~ent for...

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