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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.9, 1994년, pp.104 - 113
박성호 (한국전자통신연구소) , 최인훈 (화합물반도체연구부) , 오응기 (한국전자통신연구소) , 최성우 (한국전자통신연구소) , 박문평 (한국전자통신연구소) , 윤형섭 (한국전자통신연구소) , 이해권 (한국전자통신연구소) , 박철순 (한국전자통신연구소) , 박형무 (한국전자통신연구소)
We have fabricated n-p-n HBTs using 3-inchAlgaAs/GaAs hetero structure epi-wafers grown by MBE. DC and AC characteristics of HBT devices were measured and analyzed. For HBT epi-structure, Al composition of emitter was graded in the region between emitter cap and emitter. And base layer was designed...
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