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열처리에 따른 CVD Cu 박막의 미세구조 및 전기 비저항의 변화
The Effects of the Annealing on the Microstructure and the Electrical Resistivity of the CVD Copper Films 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.4 no.2, 1995년, pp.164 - 171  

이원준 (한국과학기술원 재료공학과) ,  민재식 (한국과학기술원 재료공학과) ,  라사균 (한국과학기술원 재료공학과) ,  이영종 (LG반도체 ULSI연구소) ,  김우식 (LG반도체 ULSI연구소) ,  김동원 (경기대학교 재료공학과) ,  박종욱 (한국과학기술원 재료공학과)

초록
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열처리에 따른 Cu 박막의 미세구조 및 전기 비저항의 변화를 조사하였다. Cu(hfac)(TMVS)를 원료로 하는 저압화학증착법에 의해 증착온도를 $160^{\circ}C$에서 $330^{\circ}C$까지 변화시키면서 TiN기판 위에 Cuqkr막을 제조하였고 $450^{\circ}C$에서 30분간 열처리하였다. 증착온도에 따라 표면이 평평한 Cu 박막을 형성하는 표면반응 제한지역과 표면이 거친 Cu 박막을 형성하는 물질전달제한지역이 관찰되었다. 열처리 후 Cu 박막은 전체적으로 표면이 평탄해졌고 결정립의 크기는 모든 증착온도에서 증가하였는데 그 편차 역시 증가하여 EM 저항성 측면에서는 큰 효과를 보이지 못할 것으로 판단된다. 비저항은 증착온도 $200^{\circ}C$에서 급격히 증가하였고 열처리 후에는 모든 증착온도에서 비저항이 감소하였는데 표면반응제한지역에서는 결정립 성장에 의한 약간의 비저항 감소를 보였으나 물질전달제한지역에서는 응집에 의해 Cu 결정립간의 전기적 연결상태가 향상되어 급격한 비저항 감소를 보였다.

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