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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.32A no.10, 1995년, pp.25 - 34
윤종만 (서울대학교 전기공학과) , 최연익 (아주대학교 전자공학과) , 한민구 (서울대학교 전기공학과)
A new vertical power MOSFET with over-current protection capability is proposed. The MOSFET consists of main power MOSFET cell, sensing MOSFET cell and lateral npn bipolar transistor. The proposed MOSFET may be fabricated by a conventional DMOS process without any additional fabrication step. Overcu...
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