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RTCVD 법으로 성장한 실리콘 에피막의 특성
Characteristics of the Silicon Epitaxial Films Grown by RTCVD Method 원문보기

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.5 no.1, 1996년, pp.63 - 70  

정욱진 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ,  권영규 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ,  배영호 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ,  김광일 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ,  강봉구 (포항공과대학교 전자전기공학과) ,  손병기 (경북대학교 전자공학과)

초록
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RTCVD (rapid thermal chemical vapor deposition) 법을 이용하여 급준한 불순물 농도분포를 갖는 서브마이크론 두께의 실리콘 에피막을 성장하였다. 실리콘 에피막 성장은 $SiH_{2}Cl_{2}\;/\;H_{2}$ 혼합가스를 사용하고, $H_{2}$ probating 공정을 포함하는 여러 가지 공정변수들을 변화하면서 성장계면에서의 불순물 농도 분포의 계면특성 및 성장율, 결정성등을 평가하였다. 실리콘 에피막의 결정성은 $900^{\circ}C$ 에서 $H_{2}$ prebaking 공정 후 동일한 온도에서 성장한 경우에 전위등의 결함이 보이지 않았으며, $SiH_{2}Cl_{2}$ 원료가스의 부피비에 따라 실리콘 에피막의 성장율을 선택함으로서 에피막 두께를 서브마이크론 까지 조절할 수 있었다. 실리콘에피막의 불순물 농도분포는 성장 계면에서 약 $200{\AA}/decade$ 로 급격하게 조절될 수 있음을 SIMS 법에 의한 분석으로 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Silicon epitaxial films of submicron level were successfully grown by the RTCVD method. For the growth of silicon epitaxial layers, $SiH_{2}Cl_{2}\;/\;H_{2}$ gas mixtures and various process parameters including $H_{2}$ prebake process were used. The growth conditions were vari...

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