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Carrier gas$(N_2,\\;He)$가 MOCVD TiN 형성에 미치는 영향에 관한 연구
Effect of Carrier gas$(N_2,\\;He)$ on MOCVD TiN Formation 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.6 no.4, 1996년, pp.388 - 394  

김재호 (국민대학교 금속재료공학과) ,  이재갑 (국민대학교 금속재료공학과) ,  지충수 (국민대학교 금속재료공학과) ,  박상준 (한국표준과학연구원) ,  김창수 (한국표준과학연구원) ,  이은구 (조선대학교 재료공학과)

초록
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Tetrakis-Diethylamido-Titanium(TDAET) 기체를 이용한 TiN 박막의 막질, 성장률, 및 도포성에 운반기체(N2, He)가 미치는 효과에 관한 조사를 하였다. TiN 박막의 막질과 성장속도는 운반기체에 의해 상당히 많은 영향을 받고 있으며, He 운반기체를 사용하였을 때 성장속도는 낮으나 낮은 비저항(-2500$\mu$$\Omega$-cm)과 낮은 산소 함량을 갖는 박막을 얻을 수 있었다. He 운반기체를 이용하여 증착된 TiN 박막은 대기 중에 노출시켰을 때 비저항이 더 이상 증가하지 않는 안정된 박막 특성을 보이고 있었다. 이와는 대조적으로, N2 운반기체에 따라 다르게 나타나는 막질의 안정성은 막 중에 함유된 산소량에 기인하는 것으로 판단된다. 또한 TDEAT 단일 증칙원 공정에서의 도포성은 aspect ratio가 2.0인 접촉창에서 18-65%인 값을 얻을수 있었고, He 운반기체의 경우항상된 도포성이 얻어졌다.

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