[논문]LCR Network을 구성하는 Ru계 후막저항계의 거동

박지애; 이홍림; 문지웅; 김구대; 이동아; 손용배

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LCR Network을 구성하는 Ru계 후막저항계의 거동
The Behaviour of Ru Based Thick Film Resistor as a Comonent of LCR Network 원문보기

요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.34 no.3 = no.178, 1997년, pp.233 - 240

박지애 (연세대학교 세라믹공학과 한국과학기술원 세라믹스부) , 이홍림 (연세대학교 세라믹공학과 한국과학기술원 세라믹스부) , 문지웅 (연세대학교 세라믹공학과 한국과학기술원 세라믹스부) , 김구대 (연세대학교 세라믹공학과 한국과학기술원 세라믹스부) , 이동아 (연세대학교 세라믹공학과 한국과학기술원 세라믹스부) , 손용배 (연세대학교 세라믹공학과 한국과학기술원 세라믹스부)

초록
AI-Helper

LCR(Inductor Capacitor Resistor) network을 구성하기 위한 90$0^{\circ}C$소성용 Ru계 저항체를 제조하였다. 이 90$0^{\circ}C$동시소성용 저항 페이스트는 유리상 조성중 용융온도를 낮춰주는 PbO의 양을 감소시키고 Al2O3와 SiO2의 양을 증가시켜 제조하였다. 본 연구에서는 Alumina기판 위에 인쇄하고 소결한 저항체의 면저항과 Inductor와 Capacitor기판을 사용하여 제조한 저항체의 면저항 및 기판과 저항체간의 계면에 대한 관찰하였다. 또한 RuO2의 양을 달리하여 제조한 저항체의 저항값 변화에 대해서도 고찰하였다. 동시소성으로 소결한 경우, Alumina기판에서는 103~106$\Omega$/$\square$의 저항값을 얻을 수 있었으나, Inductor와 Capacitor기판에서는 저항값의 측정 범위를 벗어났다.

Abstract ▼ AI-Helper

The Ru-based thick film resistor(TFR) for sintering at 90$0^{\circ}C$ was synthesized to prepare the LCR net-work. These compositions of pyrochlore could be prepared by decreasing the amount of PbO and increasing alumina and silica contents of glass frit. In this study, the sheet resistances of the TFTs. which sint-ered at 90$0^{\circ}C$ after printing on alumina substrate, the sheet resistances of the TFRs on inductor and capa-citor substrate and the interphase between TFR and substrate were observed. And the changes of the sheet resistance were obtained with the contents of RuO2. In case of the TFR sintered at 90$0^{\circ}C$, the sheet resis-tances on alumina substrates were in the range of 103~106$\Omega$/$\square$, but the sheet resistances of TFR on in-ductor and capacitor substrate were not obtained.

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