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NTIS 바로가기電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.10 no.6, 1997년, pp.570 - 575
김창석 (조선대학교 공대 전기공학과) , 이우선 (조선대학교 공대 전기공학과) , 정천옥 (아세아자동차공업(주) 설비보전팀) , 김병인 (송원전문대학 전기과)
In this days, the thinner film of dielectric materials is required while its capacitance is required to be still large at the VLSI process. Most of such VLSI have MOS structures. For the research on this requirement, MOS capacitors were fabricated on the silicon wafer in four different thickness g...
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