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한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.13 no.12, 2009년, pp.2505 - 2510
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The SiOC films were deposited with the variation of flow rate ratios by chemical vapor deposition. It was researched the reason of decreasing the dielectric constant in SiOC film and the relationship between the dielectric constant and the thickness. The thickness of the deposited films tends to in ...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 유전상수가 낮아지기 위하여 어떤 문제점이 보완되었는가? | 그리고 열처리후의 박막두께와 유전상수의 변화에 대하여도 살펴보았다. 유전상수가 낮아지기 위하여 기공이 형성된 박막의 문제점을 보완한 분극의 감소에 의한 유전상수의 상관성에 대하여 연구하였다. | |
| 박막의 두께와 유전상수사이는 어떤 경향성이 있는가? | 차세대 반도체 산업에서는 VLSI (very large scale integrated circuits)에서 요구되는 성능을 만족하기 위해서 미세공정을 위한 기술과제로 2가지 전 공정과 후 공정기술에 있어서 새로운 기술을 요구하고 있다. 전 공정에서는 소형의 고 신뢰성의 트랜지스터를 설계할 수 있는 기술을, 후 공정에서는 다층배선이 가능하기 위한 낮은 정전용량의 ILD (inter layer dielectric)물질개발이 요구된다. | |
| CVD 방법에 의한 SiOC 박막은 어떠한 장점이 있는가? | 기공의 형성은 후 공정에 있어서 평탄화 공정을 필요로하거나 박막표면에서의 기공의 노출로 인한 문제점이 발생할 수 있다[7]-[8]. 반면에 CVD 방법에 의한 SiOC 박막은 미소량의 탄소가 핵반응의 구심점이 되어 분극성을 감소하면서 비정질도를 높이고 동시에 유전상수를 떨어뜨리는 기능을 갖게 하는 것으로 기공의형성에 의한 후 공정의 문제점 등에 대한 문제를 고려하지 않아도 되는 장점이 있다[9]-[11]. SiOC 박막에 서유전상수가 낮아지는 근본적인 문제에 대한 원인은 아직까지도 많은 연구결과들이 보고되고 있으며, 특히 CVD 공정 및 프리커서에 대한 다양한 연구들이 진행중에 있다[12]. |
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