$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

실리콘 웨이퍼에서 광열 변위법과 소수 반송자 재결합 수명 측정에 의한 기계적 후면 손상 평가

Evaluation of mechanical backside damage by minority carrier recombination lifetime and photo-acoustic displacement method in silicon wafer

초록

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 광열범위, X-선 단면 측정 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 광열 변위의 평균값은 비례적으로 증가하였으며, 손상된 웨이퍼에서 Grade 1의 과잉 광열 변위값을 1로 봤을 때 과잉 광열 변위의 정규화한 상대 정량 비는 Grade 1: Grade 2:Grade 3 = 1:19.6:41이다.

Abstract

We investigated the effect of mechanical backside damage in Czochralski grown silicon wafer. The intensity of mechanical damage was evaluated by minority carrier recombination lifetime by laser excitation/microwave reflection photoconductivity decay method, photo-acoustic displacement method, X-ray section topography, and wet oxidation/preferential etching methods. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and the photo-acoustic displacement values increased proportionally, and it was at Grade 1: Grade 2:Grade 3 = 1:19.6:41 that the normalized relative quantization ratio of excess photo-acoustic displacement in damaged wafer was calculated, which are normalized to the excess PAD from sample Grade 1.

저자의 다른 논문

참고문헌 (14)

  1. A. Usami , Proc. IEEE 1991 Int. Conference on Microelectronic Test Structures / v.4,pp.25, 1991
  2. M.L. Polignano;G.F. Cerofolini;H. Bender;C. Claeys , J. Appl. Phys. / v.64,pp.869, 1988
  3. American Society for Testing and Materials , Annual Book of ASTM Standards, F121-81 / v.,pp., 1987
  4. B. Braunstein(et al.) , Phys. Rev. / v.107,pp.675, 1958
  5. G. Washidzu;T. Hara;R. Ichikawa;H. Takamatsu;S. Sumie;Y. Nishimoto;Y. Nakai;H. Hashizume;T. Miyoshi , Jpn. J. Appl. Phys. / v.30,pp.L1025, 1991
  6. F. Shimura , Semiconductor silicon crystal technology / v.,pp.350, 1989
  7. D.K. Schroder , Semiconductor material and device characterization / v.,pp.359, 1990
  8. A. Buczkowski;Z.J. Radzimski;G.A. Rozgonyi;F. Shimura , J. Appl. Phys. / v.72,pp.2873, 1992
  9. S. Sumie;H. Takamatsu;T. Nishino , Defect and Diffusion Forum / v.115-116,pp.85, 1994
  10. K. Katayama;Y. Kirino;K. Iba;F. Shimura , Jpn. J. Appl. Phys. / v.30,pp.L1907, 1991
  11. M.W. Jenkins , J. Electrochem. Soc. / v.124,pp.757, 1977
  12. V. Cazcarra;P. Zunino , J. Appl. Phys. / v.51,pp.4206, 1980
  13. S. Sumie;H. Takamatsu;Y. Nishimoto;T. Horiuchi;H. Nakayama;T. Kanata;T. Nishino , Jpn. J. Appl. Phys. / v.31,pp.3575, 1992
  14. S. Hahn , International Conference on VLSI and CAD, (KITE/IEEE Korea section) / v.,pp.238, 1989

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음

DOI 인용 스타일