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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.11 no.6, 1998년, pp.428 - 435
손상희 (청주대학교 공대 반도체공학과) , 진태 (청주대학교 공대 반도체공학과)
SOI-like-bulk CMOS device is proposed, which having the advantages of SOI(Silicon On Insulator) and protects short channel effects efficiently with adding partial epitaxial process at standard CMOS process. SOI-like-bulk NMOS and PMOS with 0.25
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