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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.8 no.5, 1998년, pp.419 - 423
최인훈 (고려대학교 재료공학과) , 이종민 (고려대학교 재료공학과) , 신동석 (고려대학교 재료공학과)
The conditions for optimizing mass transport for making buried heterostructure (BH) InGaAsP/lnP lasers are discussed. The double heterostructure InGaAsP/lnP laser structures were grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) and etched into mesas. The active layer was selectively etched along [llO] and the ma...
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