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SiC/C 경사기능재료 증착층의 변화
Variation of SiC/C FGM Layers 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.8 no.6, 1998년, pp.477 - 483  

김유택 (경기대학교 재료공학과) ,  정순득 (한양대학교 화학공학과) ,  이성철 (한양대학교 화학공학과) ,  박진호 (영남대학교 화학공학 및 공업화학부)

초록
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$SiC_{4}$$C_{3}$$H_{ 8}$$H_{2}$$C_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$, $CH_{3}$$SiCI_{3}$$CH_{4}$$H_{2}$계를 사용하여 흑연기판 위에 SiC와 SiC/C FGM을 CVD법에 의해 코팅하였다. $SiCI_{4}$$C_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$ 계에서 SiC 증착 시 바람직한 수소의 비는 10-30사이였고 결정 배향성은 입력가스의 탄소비에 따라 여러번의 대 반전이 일어났다. 성장조건을 {111} 배향성을 갖도록 조절하는 것이 FGM층간 접착상태를 증진시킬 수 있는 방법으로 판단되었다. $CH_{3}$$SiCI_{3}$C$_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$ 계에서는 SiC와 C의 비율을 조절하기가 $SiCI_{4}$$C_{3}$$H_{8} $H_{2}$계를 사용했을 때 보다 용이하였고, FGM 단면 관찰에서 층간의 뚜렷한 경계를 발견할 수 없을 정도로 우수한 층간 접착상태를 보였다.

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