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NTIS 바로가기전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문, v.48 no.12, 1999년, pp.755 - 760
김도영 (성균관대 전기전자컴퓨터학과) , 최석원 (성균관대 전기전자컴퓨터학과) , 안병재 (성균관대 전기전자컴퓨터학과) , 이준신 (성균관대 전기전자컴퓨터학과)
Various fluoride films were investigated for a gate insulator of thin film transistor application. Conventional oxide containing materials like
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