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게이트 절연막 조성에 따른 a-ITGZO 박막트랜지스터의 전기적 특성 연구
Effect of Gate Dielectrics on Electrical Characteristics of a-ITGZO Thin-Film Transistors 원문보기

전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.25 no.3, 2021년, pp.501 - 505  

공희성 (Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ,  조경아 (Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ,  김상식 (Dept. of Electrical Engineering, Korea University)

초록
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본 연구에서는 HfO2와 Al2O3 비율을 조절하여 게이트 절연막을 구성하고, 게이트 절연막에 따른 a-ITGZO 박막트랜지스터의 전기적 특성을 분석하였다. HfO2 게이트 절연막, HfO2와 Al2O3 비율이 2:1인 게이트 절연막, HfO2와 Al2O3 비율이 1:1인 게이트 절연막으로 구성된 a-ITGZO 박막트랜지스터의 전자이동도는 각각 32.3, 26.4, 16.8 cm2/Vs이고 SS 값은 각각 206, 160, 173 mV/dec 이며 히스테리시스 윈도우 폭은 각각 0.60, 0.12, 0.09 V 이었다. 게이트 절연막에서 Al2O3 비율이 높아질수록 a-ITGZO 박막트랜지스터의 히스테리시스 윈도우 폭이 감소했는데, 이는 Al2O3 비율이 높아질수록 게이트 절연막과 채널 박막 사이의 interface trap density가 감소했기 때문이다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we fabricated amorphous indium-tin-gallium-zinc-oxide thin-film transistors (a-ITGZO TFTs) with gate dielectrics of HfO2 and the mixed layers of HfO2 and Al2O3, and investigated the effect of gate dielectric on electrical characteristics of a-ITGZO TFTs. When only HfO2 was used as the...

주제어

#a-ITGZO thin-film transistor   # $HfO_2$   #HfAlO   #hysteresis   #interface trap density  

표/그림 (5)

참고문헌 (9)

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