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[국내논문] $\\delta$도핑과 SiGe을 이용한 p 채널 MESFET의 포화 전류 증가
Enhancement of Saturation Current of a p-channel MESFET using SiGe and $\\delta$-dopend Layers 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.36D no.4, 1999년, pp.86 - 92  

이찬호 (정회원, 숭실대학교 정보통신전자공학부) ,  김동명 (정회원, 국민대학교 전자공학부)

초록
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SiGe을 이용한 p형 전계 효과 트랜지스터의 전류 구동 능력 향상을 위하여 이중 δ도핑층을 이용한 MESFET을 설계하고 시뮬레이션을 통하여 전기적 특성의 개선을 확인하였다. 두 δ도핑층 사이의 도핑 농도가 낮은 분리층에 SiGe층을 위치시키면 양자 우물이 형성되어 δ도핑층에서 넘쳐 나온 정공이 Si 채널의 경우보다 더 많아져 전류 구동 능력이 크게 향상된다. δ도핑층 사이의 SiGe층의 두께는 0∼300Å, Ge 구성비는 0∼30%의 범위에서 변화시켜 SiGe 두께 200Å, Ge 구성비 30%일 때 이중 δ도핑 Si 채널 MESFET에 비해 최대 45% 이상 개선될 수 있음을 확인하였다.

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A SiGe p-channel MESFET using $\delta$-doped layers is designed and the considerabel enhancement of the current driving capability of the device is observed from the result of simulation. The channel consists of double $\delta$-doped layers separated by a low-doped spacer which...

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