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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.36D no.2, 1999년, pp.48 - 54
노병규
(建國大學敎 電子
We designed the optimal device parameters of the retrograde well and the gettering layer(buried layer) using the high energy ion implantation for the next generation of CMOS struoture and proposed two models and simulated these models with Athena and Atlas, Silvaco Co. We obtained trigger currents ...
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