[공기 $ISiO_2ITiNI$ 유리]설계의 반사율이 가시광선 영역에서 0이 되는 TiN의 이상적인 복소수굴절률을 계산하였다. TiN과 $SiO_2$의 각 층의 두께 변화에 따른 2층 무반사 코팅의 반사율을 전사모의하였으며, 그 결과 TiN의 두께를 조절함으로써 최저 반사율 영역의 폭과 반사율을 변화시킬 수 있었고, $SiO_2$층의 두께를 조절함으로써 반사율이 최저가 되는 중심을 이동시킬 수 있었다. RF 마크네트론 스퍼터링 방법으로 증착한 TiN 박막의 화학적, 구조적, 전기적 특성은 각각 Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), atomic force microscope(AFM), 4점 탐침 측정기를 이용하였다. 또한 TiN 박막과 2층 무반사 코팅의 광학적 특성은 분광광도계와 variable angle spectroscopic ellipsometer(VASE)를 이용하여 조사하였다. AFM 측정 결과 TiN 박막의 rms 거칠기는 $9~10\AA$으로 비교적 박막의 표면은 균일하고, 높은 기판온도에서 증착한 TiN 박막의 비저항은 4점 탐침측정 결과 $360~730\mu$\Omega $ cm로 매우 낮으며, RBS측정 결과 Ti:O:N=1:0.65:0.95 비율로 산소가 포함되어 있음을 알았다. 이러한 TiN 박막의 특성과 전산모의 바탕으로 증착한 TiN층을 이용한 2층 무반사 무정전 코팅[공기 $ISiO_2ITiNI$ 유리]의 반사율은 440~650 nm영역에서 0.5% 미만이었다.
[공기 $ISiO_2ITiNI$ 유리]설계의 반사율이 가시광선 영역에서 0이 되는 TiN의 이상적인 복소수 굴절률을 계산하였다. TiN과 $SiO_2$의 각 층의 두께 변화에 따른 2층 무반사 코팅의 반사율을 전사모의하였으며, 그 결과 TiN의 두께를 조절함으로써 최저 반사율 영역의 폭과 반사율을 변화시킬 수 있었고, $SiO_2$층의 두께를 조절함으로써 반사율이 최저가 되는 중심을 이동시킬 수 있었다. RF 마크네트론 스퍼터링 방법으로 증착한 TiN 박막의 화학적, 구조적, 전기적 특성은 각각 Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), atomic force microscope(AFM), 4점 탐침 측정기를 이용하였다. 또한 TiN 박막과 2층 무반사 코팅의 광학적 특성은 분광광도계와 variable angle spectroscopic ellipsometer(VASE)를 이용하여 조사하였다. AFM 측정 결과 TiN 박막의 rms 거칠기는 $9~10\AA$으로 비교적 박막의 표면은 균일하고, 높은 기판온도에서 증착한 TiN 박막의 비저항은 4점 탐침측정 결과 $360~730\mu$\Omega $ cm로 매우 낮으며, RBS측정 결과 Ti:O:N=1:0.65:0.95 비율로 산소가 포함되어 있음을 알았다. 이러한 TiN 박막의 특성과 전산모의 바탕으로 증착한 TiN층을 이용한 2층 무반사 무정전 코팅[공기 $ISiO_2ITiNI$ 유리]의 반사율은 440~650 nm영역에서 0.5% 미만이었다.
In this study we have calculated an ideal complex refractive index of a TiN trim used in a layer of anl1reilecnon (I\R) coatmg, [air$ISiO_2ITiNIglass$] in the visible. Also we simulated the rellectance of lwo-layer AR coating by varying the thicknesses of TiN and $SiO_2$ layers...
In this study we have calculated an ideal complex refractive index of a TiN trim used in a layer of anl1reilecnon (I\R) coatmg, [air$ISiO_2ITiNIglass$] in the visible. Also we simulated the rellectance of lwo-layer AR coating by varying the thicknesses of TiN and $SiO_2$ layers, respecl1vely. The simolation results show that we can controllhe lowest reflectance and AR band of tile AR coating. The TIN fihns were fabricated by a RF magnetron sputtering apparalus. The chemical, structural and electrical properties of TiN fih11S were inveshgated by the Rutherford backscattering spech'oscopy (RBS), atomic force microscope (AFM) and 4-point probe. The optical properlies were inve,tigated by the spectrophotometer and vanable angle spectroscopic ellipsometer (VASE). The smface roughness of TiN flhns \vas $9~10\AA$. TIle resistivity of TiN films was TEX>$360~730\mu$\Omega $ cm. The ,toichlOllletry of TiN film was 1'1: O:N = I: 0.65 :0.95 and ilic oxygen wa~ found on ilie smface. With these experimental and simu]al1on resulLs, we deposited duo: two-layer AR coating, [air$ISiO_2ITiNIglass$] and the refleClance was under 0.5% ill the regIOn of 440-650 run. 0 run.
In this study we have calculated an ideal complex refractive index of a TiN trim used in a layer of anl1reilecnon (I\R) coatmg, [air$ISiO_2ITiNIglass$] in the visible. Also we simulated the rellectance of lwo-layer AR coating by varying the thicknesses of TiN and $SiO_2$ layers, respecl1vely. The simolation results show that we can controllhe lowest reflectance and AR band of tile AR coating. The TIN fihns were fabricated by a RF magnetron sputtering apparalus. The chemical, structural and electrical properties of TiN fih11S were inveshgated by the Rutherford backscattering spech'oscopy (RBS), atomic force microscope (AFM) and 4-point probe. The optical properlies were inve,tigated by the spectrophotometer and vanable angle spectroscopic ellipsometer (VASE). The smface roughness of TiN flhns \vas $9~10\AA$. TIle resistivity of TiN films was TEX>$360~730\mu$\Omega $ cm. The ,toichlOllletry of TiN film was 1'1: O:N = I: 0.65 :0.95 and ilic oxygen wa~ found on ilie smface. With these experimental and simu]al1on resulLs, we deposited duo: two-layer AR coating, [air$ISiO_2ITiNIglass$] and the refleClance was under 0.5% ill the regIOn of 440-650 run. 0 run.
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제안 방법
AFM의 측정 조건은 100 [Im 딥으로 박막의 서로 다른 세 곳을 주사 범위 1(# 주시율 30 μm/s로 주사한 후 다시 주사한 영역의 중심을 주사 범위 2.5 pm, 주사율 7 μm/s로 확디 주사(zoom scan)하여 측정하였다. 그림 5는 7 seem의 질소 유량으로 증착한 TiN 박막의 AFM 평면사진(주사 범위 2.
본 연구에서는 TiN 박막을 이용하여 흡수가 있는 무반사 무정전 박막을 실게하고 RP 마그네트론 스퍼터링 방법으로 2층 무반사 무정전 박막을 증착하나 물리적. 광학적 성질을 조사 하였다.
전산모의를 통해 각층의 두께에 따른 반사율과 투과율의 경힝을 조사하였고 그림 4와 같은 RF 마.그네트론 스퍼터링 장비를 시용하여 TiN층을 이용한 2층 무빈사 무정전 코팀을 증착하였디, . 고진곰 펌프로는 터보 분자 펌프를.
본 연구에서는 TiN 박막을 이용하여 흡수가 있는 무반사 무정전 박막을 실게하고 RP 마그네트론 스퍼터링 방법으로 2층 무반사 무정전 박막을 증착하나 물리적. 광학적 성질을 조사 하였다.
본 연구에서는 TiN층을 이용한 2층 무반사 코팅 [공기I S1C#TiNI유리 ]를 설계하고 증착하였다 전산모의를 통하여 흡수층인 TiN의 문산을 계산하였으며, TiN층과 Si#층의 최적화된 두께는 각각 7.9# 93.2nm로 계산되었디..
증착한 TiN 박막의 전기적 특성은 면저항을 측정하여 조사하였다. 빅막의 서로 다른 위치를 4회 반복 측정하여 평균값을 비교 분석하였다. 그럼 6과 깉-이 증착한 TiN 박막의 면저항은 기판온도가 250~4#일 때 450-650 Q/#이다.
증착한 TiN 박막의 전기적 특성은 면저항을 측정하여 조사하였다. 빅막의 서로 다른 위치를 4회 반복 측정하여 평균값을 비교 분석하였다.
증착한 박막의 반사율, 투괴율, 복소수 굴절률 등은 분광광도계와 VASE* 이용하여 조사하몄고, RBS를 이용해 회하적 특성을, #점 탐침 측정기로 면저항을 측정하여 전기적 특성을, AFM 측정으로 박막의 표면 특성을 분석하였다.
질소 유링을 3~9sccm으로 변회-시키며 증착한 얇은 TiN 박막의 표면 거칠기를 AFM으로 측정히였다. 그 결고]- TiN 박막의 표면 거칠기는 평균 9~10 A 정도로서 질소 유량에는 크게 의존하지 않는 것으로 판단되며, 비교적 균일한 박막이 증칙되었음을 알 수 있다.
대상 데이터
이온원으로는 2 MeV He 이온을 사용하였고 시료가 얇기 때문에 보다 명하한 분석을 위해 70°울여 측정하였다. 기판은 두께 1 mm의 표민 연마된 탄소를 사용했다. 그림 7은 각각 300℃(TiN300)와 400"C(TiN400)의 서로 디른 기판 온도에서 증착된 두 개의 TiN 박막의 RBS 스펙트럼이다.
타깃으로는 각각 두께 1/4 인치. 크기 4인치 원판형 Ti(99.99%)와 #2(99, 999%)를 사용하였고 타깃과 기판 사이의 거리는 52 nm# 고정하였으며, 기본 진공은 SMI#-15 torr 이하로 유지하였다.
흡수충을 이용하여 구성한 2층 무반사 박막은 그림 1(1)와 깉-이 I공기 ISiC시흡수층(TiN)l 유리의 구조이다. 이러한 2층 박막은 수학적으로 복소수 굴절률# = # - #과 광학적 위상 두께 아를 변수로 하는 시(1)과 같은 득성 행렬들로 나타낼 수 있다」'기
성능/효과
. RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착한 TiN 박막의 rms 표면 거칠기는 질소의 유량에 따라 로비교적 균일하였고, 면저항은 기판온도의 증기에 따라 감소하였으며, 이는 RBS 측정결과 산소 함유량의 감소에 기인한 것으로 생각된다. 이러한 특성을 갖는 TiN층을 이용한 무반사 코팅의 반사율은 440-650 nm 영역에서 0.
질소 유링을 3~9sccm으로 변회-시키며 증착한 얇은 TiN 박막의 표면 거칠기를 AFM으로 측정히였다. 그 결고]- TiN 박막의 표면 거칠기는 평균 9~10 A 정도로서 질소 유량에는 크게 의존하지 않는 것으로 판단되며, 비교적 균일한 박막이 증칙되었음을 알 수 있다. 시용한 기판의 rms 표면 거칠기는 7~12 A이다.
RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착한 TiN 박막의 rms 표면 거칠기는 질소의 유량에 따라 로비교적 균일하였고, 면저항은 기판온도의 증기에 따라 감소하였으며, 이는 RBS 측정결과 산소 함유량의 감소에 기인한 것으로 생각된다. 이러한 특성을 갖는 TiN층을 이용한 무반사 코팅의 반사율은 440-650 nm 영역에서 0.5% 미만이었으며, TiN층의 두께가 증가하면 무반사 코팅의 반사율은 감소하고, Si6충의 두께가 증가하면 반사뮬 스펙트럼이 전체적으로 긴 파장 영역으로 이동하였다.
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